机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [2]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2008 [2]
• 2000 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Neutron irradiation effect in two-dimensional electron gas of algan/gan heterostructures 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1045-1048 作者:  Zhang Ming-Lan;  Wang Xiao-Liang;  Xiao Hong-Ling;  Wang Cui-Mei;  Ran Jun-Xue 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Neutron irradiation effect in two-dimensional electron gas of AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1045-1048 Zhang, ML; Wang, XL; Xiao, HL; Wang, CM; Ran, JX; Hu, GX 收藏  |  浏览/下载：50/3  |  提交时间：2010/03/08 TRANSPORT  PROTON  HEMTS   Hydrogen-dependent lattice dilation in GaN 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2000, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 619-621 Zhang JP; Wang XL; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 OPTICAL-PROPERTIES  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE  EPILAYERS  STRESS  SEMICONDUCTORS  ELECTRONS  SILICON  STRAIN  FILMS