机构

• 微电子研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 外文期刊 [6]

发表日期

• 2009 [2]
• 2008 [4]

学科主题

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 HIGH CURRENT, MULTI-FINGER InGaAs/InP HETEROSTRUCTURE BIPOLAR TRANSISTOR WITH f(t) OF 176GHz 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Cheng, W;  Jin, Z;  Qi, M;  Xu, AH;  Liu, XY   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/26 红外与毫米波学报   Time-Resolved Electronic Phase Transitions in Manganites 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Ward, TZ;  Zhang, XG;  Yin, LF;  Zhang, XQ;  Liu, M   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 Metal-insulator-transition  1/f Noise  Separation   Common-base multi-finger submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(max) of 305 GHz 外文期刊  OAI收割 2008 作者:  Jin, Z;  Su, Y;  Cheng, W;  Liu, X;  Xu, A   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/26 High current multi-finger InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with the maximum oscillation frequency 253 GHz 外文期刊  OAI收割 2008 作者:  Jin, Z;  Su, YB;  Cheng, W;  Liu, XY;  Xu, AH   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26 High-breakdown-voltage submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(t)=170 GHz and f(max)=253GHz 外文期刊  OAI收割 2008 作者:  Jin, Z;  Su, YB;  Cheng, W;  Liu, XY;  Xu, AH   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 Amplifier  Base   High-speed InGaAs/InP double heterostructure bipolar transistor with high breakdown voltage 外文期刊  OAI收割 2008 作者:  Jin, Z;  Su, YB;  Cheng, W;  Liu, XY;  Xu, AH   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/26