机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 会议论文 [1]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 1999 [2]

学科主题

• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 530-533 Peng CS; Chen H; Zhao ZY; Li JH; Dai DY; Huang Q; Zhou JM; Zhang YH; Tung CH; Sheng TT; Wang J 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 dislocation  stacking faults  vacancy  strain relaxation  silicon  germanium  SI(100)  LAYERS  FILMS  THREADING DISLOCATION   Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers 会议论文  OAI收割 10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998 Peng CS; Chen H; Zhao ZY; Li JH; Dai DY; Huang Q; Zhou JM; Zhang YH; Tung CH; Sheng TT; Wang J 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/15 THREADING DISLOCATION  SI(100)  LAYERS  FILMS