机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• iSwitch采集 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2010 [2]
• 2009 [1]
• 2006 [2]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Experimental observation of polarized electroluminescence from edge-emission organic light emitting devices 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 23, 页码: 3 作者:  Ran, G. Z.;  Jiang, D. F.;  Kan, Q.;  Chen, H. D. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 1.54 mu m electroluminescence from p-si anode organic light emitting diode with bphen: er(dbm)(3)phen as emitter and bphen as electron transport material 期刊论文  iSwitch采集 Optics express, 2010, 卷号: 18, 期号: 13, 页码: 13542-13546 作者:  Wei, F.;  Li, Y. Z.;  Ran, G. Z.;  Qin, G. G. 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 An internally-matched gan hemts device with 45.2 w at 8 ghz for x-band application 期刊论文  iSwitch采集 Solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Tang, J.;  Ran, J. X. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/aln/gan  Hemt  Mocvd  Sic substrate  Power device   Electrical transport and electroluminescence properties of n-zno single nanowires 期刊论文  iSwitch采集 Nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 19, 页码: 4868-4872 作者:  Yang, W. Q.;  Huo, H. B.;  Dai, L.;  Ma, R. M.;  Liu, S. F. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Efficient 1.54 mu m light emitting diode with nanometer thick polycrystalline si anode and organic sandwich structure 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 2, 页码: 3 作者:  Zhao, W. Q.;  Ran, G. Z.;  Ma, G. L.;  Xu, W. J.;  Dai, L. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12