机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2021 [1]
• 2017 [1]
• 2014 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Simulations of monolayer SiC transistors with metallic 1T-phase MoS2 contact for high performance application 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 11, 页码: 117102 作者:  Xie, Hai-Qing;   Wu, Dan;   Deng, Xiao-Qing;   Fan, Zhi-Qiang;   Zhou, Wu-Xing;   Xiang, Chang-Qing;   Liu, Yue-Yang   |  收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2022/03/28 Electronic correlation effects and orbital density wave in the layered compound 1T-TaS2 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2017, 卷号: 96, 期号: 12, 页码: 125138 作者:  Xiang-Long Yu;  Da-Yong Liu;  Ya-Min Quan;  Jiansheng Wu;  Hai-Qing Lin   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/06/01 Effects of interface roughness on photoluminescence full width at half maximum in GaN/AlGaN quantum wells 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2014, 卷号: 23, 期号: 11, 页码: 117803 Wang Wei-Ying; Liu Gui-Peng; Jin Peng; Mao De-Feng; Li Wei; Wang Zhan-Guo; Tian Wu; Chen Chang-Qing 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2015/03/20