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  • 上海技术物理研究所 [2]
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Experimental approaches to zero-field spin splitting in a gated high-mobility In0.53Ga0.47As/InP quantum well structure: Weakantilocalization and beating pattern 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 107
作者:  
Y. M. Zhou,1 G. Yu,1,a L. M. Wei,1 K. H. Gao,1 W. Z. Zhou,1,2 T. Lin,1 L. Y. Shang,1 S. L. Guo, J. H. Chu, N. Dai, D. G. Austing
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Subband electron properties of modulation-doped AlxGa1-xNxGaN heterostructures with different barrier thicknesses 期刊论文  OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2001, 卷号: 79, 期号: 3
作者:  
C. P. Jiang;  S. L. Guo;  Z. M. Huang;  J. Yu;  Y. S. Gui
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