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• 上海技术物理研究所 [3]

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• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2007 [1]
• 2001 [2]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Influence of defects in n-GaN layer on the responsivity of Schottkybarrier ultraviolet photodetectors 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letter, 2007, 卷号: 90 作者:  D. G. Zhao;  D. S. Jiang;  J. J. Zhu;  Z. S. Liu;  S. M. Zhang et al.   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2011/10/09 Subband electron properties of modulation-doped AlxGa1-xNxGaN heterostructures with different barrier thicknesses 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2001, 卷号: 79, 期号: 3 作者:  C. P. Jiang;  S. L. Guo;  Z. M. Huang;  J. Yu;  Y. S. Gui   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2011/11/30 Subband electron properties of highly doped InAlAs/InGaAs metamorphic high-electron-mobility transistors on GaAs substrates 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2001, 卷号: 79, 期号: 12 作者:  C. P. Jiang;  Z. M. Huang;  S. L. Guo;  J. H. Chu;  L. J. Cui   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2011/11/30