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• 上海技术物理研究所 [4]

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• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2010 [2]
• 2001 [2]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Insulator-quantum Hall conductor transition in high electron density gated InGaAs/InAlAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 108 作者:  K. H. Gao,1,2 G. Yu,2,a Y. M. Zhou,2 L. M. Wei,2 T. Lin,2 L. Y. Shang,1,2 L. Sun,2 R. Yang,2 W. Z. Zhou,N. Dai,J. H. Chu,D. G. Austing,Y. Gu,Y. G. Zhang   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2011/09/13 Experimental approaches to zero-field spin splitting in a gated high-mobility In0.53Ga0.47As/InP quantum well structure: Weakantilocalization and beating pattern 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 107 作者:  Y. M. Zhou,1 G. Yu,1,a L. M. Wei,1 K. H. Gao,1 W. Z. Zhou,1,2 T. Lin,1 L. Y. Shang,1 S. L. Guo, J. H. Chu, N. Dai, D. G. Austing   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2011/09/13 Subband electron properties of modulation-doped AlxGa1-xNxGaN heterostructures with different barrier thicknesses 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2001, 卷号: 79, 期号: 3 作者:  C. P. Jiang;  S. L. Guo;  Z. M. Huang;  J. Yu;  Y. S. Gui   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2011/11/30 Ultraviolet-infrared optical properties of highly (100)-oriented LaNiO3 thin films on Pt–Ti–SiO2–Si wafer 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2001, 卷号: 90, 期号: 6 作者:  J. Yu;  J. L. Sun;  X. J. Meng;  Z. M. Huang;  J. H. Chu   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2011/11/30