机构

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采集方式

• OAI收割 [11]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [11]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2000 [12]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 光电子学 [1]
• 力学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2000     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Characterization, second-harmonic generation, and gas-sensitive properties of Langmuir-Blodgett films of 1,8-naphthalimide-tri-tert-butylphthalocyanine 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY B, 2000, 卷号: 104, 期号: 50, 页码: 11859-11863 作者:  Liu, YQ;  Hu, WP;  Xu, Y;  Liu, SG;  Zhu, DB   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/04/09 Synthesis of optically active 1,1 '-binaphthyl-phthalocyanines linked via a crown ether unit 期刊论文  OAI收割 TETRAHEDRON-ASYMMETRY, 2000, 卷号: 11, 期号: 24, 页码: 4915-4922 作者:  Liu, HW;  Chen, CF;  Ai, M;  Gong, AJ;  Jiang, J   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/09 A remarkable alteration in the bonding pattern: An HF and DFT study of the interactions between the metal cations and the Hoogsteen hydrogen-bonded G-tetrad 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY A, 2000, 卷号: 104, 期号: 26, 页码: 6308-6313 作者:  Gu, JD;  Leszczynski, J   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/01/08 Design consideration and performance of high-power and high-brightness ingaas-ingaasp-algaas quantum-well diode lasers (lambda=0.98 mu m) 期刊论文  iSwitch采集 Ieee journal of selected topics in quantum electronics, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 577-584 作者:  Yang, GW;  Hwu, RJ;  Xu, ZT;  Ma, XY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum-well lasers  Semiconductor diodes  Semiconductor epitaxial layers  Semiconductor lasers  Semiconductor materials   Synthesis and characterization of polysiloxane containing oligo(oxyethylene) sulfate salt 期刊论文  OAI收割 CHINESE JOURNAL OF POLYMER SCIENCE, 2000, 卷号: 18, 期号: 2, 页码: 109-113 作者:  Hu, SW;  Zhang, ZC;  Yi, F;  Fang, SB;  Zhang, XF   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/09 Hydrosilylation  Electrolytes  Ionic Conductivity   Atom location by channeling enhanced microanalysis study of site distributions of alloying elements in titanium aluminides 期刊论文  OAI收割 Journal of Materials Research, 2000, 卷号: 15, 期号: 11, 页码: 2475-2481 Y. L. Hao; R. Yang; Y. Y. Cui; D. Li 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/04/14 general formulation  electron-diffraction  x alloys  alchemi  occupancies  ti3al  additions   Reaction limited aggregation in surfactant-mediated epitaxy 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2000, 卷号: 61, 期号: 19, 页码: 13212 Wu, J; Liu, BG; Zhang, ZY; Wang, EG 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/09/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  BY-LAYER GROWTH  SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  THIN-FILM GROWTH  HOMOEPITAXIAL GROWTH  SELF-DIFFUSION  FRACTAL GROWTH  ISLAND DENSITY  METAL-SURFACES  DIMER EXCHANGE   Coqblin-Schrieffer impurity in a singular metal 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2000, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: 6877 Wang, YP; Schlottmann, P 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/17 GAPLESS FERMI SYSTEMS  CONFORMAL-FIELD-THEORY  KONDO PROBLEM  MAGNETIC-IMPURITIES  LUTTINGER LIQUID  RENORMALIZATION-GROUP  FINITE TEMPERATURE  HEISENBERG-MODEL  BEHAVIOR  ANDERSON   Microscale mechanics for metal thin film delamination along ceramic substrates 期刊论文  OAI收割 Science in China Series A-Mathematics Physics Astronomy, 2000, 卷号: 43, 期号: 5, 页码: 509-516 作者:  Wei YG(魏悦广) 收藏  |  浏览/下载：1698/133  |  提交时间：2007/06/15 Design consideration and performance of high-power and high-brightness InGaAs-InGaAsP-AlGaAs quantum-well diode lasers (lambda=0.98 mu m) 期刊论文  OAI收割 ieee journal of selected topics in quantum electronics, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 577-584 Yang GW; Hwu RJ; Xu ZT; Ma XY 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum-well lasers  semiconductor diodes  semiconductor epitaxial layers  semiconductor lasers  semiconductor materials  OPERATION  SINGLE