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  • 1987 [3]
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Manufacture of semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1987259491A, 申请日期: 1987-11-11, 公开日期: 1987-11-11
作者:  
KOGURE NAOSHI;  MORIHISA YUZO
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Semiconductor device and manufacture thereof 专利  OAI收割
专利号: JP1987015875A, 申请日期: 1987-01-24, 公开日期: 1987-01-24
作者:  
UNO TOMOAKI;  OGURA MOTOTSUGU
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HIGH-TEMPERATURE CREEP OF NI-CR-CO ALLOYS AND THE EFFECT OF STACKING-FAULT ENERGY 期刊论文  OAI收割
Zeitschrift Fur Metallkunde, 1987, 卷号: 78, 期号: 5, 页码: 339-343
Z. Yang; Y. Xiao; C. X. Shih
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