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机构
上海技术物理研究所 [16]
采集方式
OAI收割 [16]
内容类型
学位论文 [16]
发表日期
2012 [3]
2011 [4]
2010 [4]
2009 [1]
2008 [2]
2007 [1]
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学科主题
红外基础研究 [16]
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共16条,第1-10条
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学科主题:红外基础研究
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半导体光电功能结构高分辨电子学分析和数值模型
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
黄文超
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提交时间:2012/09/11
载流子分布
扫描电阻分布显微术
扫描电容显微术
红外探测器
量子阱
InAsSb长波红外薄膜材料的LPE生长及特性研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
孙常鸿
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提交时间:2012/09/11
Inasxsb1-x
液相外延
退火
长波红外
结晶质量
窄禁带半导体InGaAs和HgCdTe的磁输运性质研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
魏来明
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提交时间:2012/09/11
自旋电子学
有效质量
有效g因子
反局域效应
退相干时间
PVDF基聚合物薄膜的铁电、介电性能研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
田莉
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提交时间:2012/09/11
p(Vdf-trfe)薄膜
p(Vdf-trfe-cfe) 薄膜
介电弛豫
电子辐照
热释电红外探测器
HgMnTe窄禁带磁性半导体和GaInP多量子阱的磁光电性质研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
朱亮清
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提交时间:2012/09/11
Hgmnte磁性半导体
Fuorier变换红外光谱
Kp微扰理论
束缚磁极化子
Gainp应变量子阱
碲镉汞薄膜及InAs/GaAs量子点红外调制光谱研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
马丽丽
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提交时间:2012/08/22
碲镉汞
Inas自组织量子点
光致发光谱
调制反射光谱
光谱分辨率
InSb基窄带半导体薄膜的分子束外延和光电特性研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
张燕辉
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提交时间:2012/09/11
分子束外延
Insb
Inassb
Innsb
反弱局域效应
碲镉汞红外探测功能结构的光电性能研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
殷菲
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提交时间:2012/09/11
碲镉汞红外探测器
暗电流特性
激光束诱导电流
光调制霍尔
光电导谱
半导体量子器件的磁输运与磁隧穿性质研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
周远明
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提交时间:2012/09/11
半导体量子器件
磁输运
自旋-轨道耦合
电子-电子相互作用
磁隧穿
钙钛矿型(Pb,Sr)TiO3铁电薄膜的制备及其电学、光学特性的研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
杨静
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提交时间:2012/09/11
铁电薄膜
弥散相变
介电弛豫
掺杂效应
光学响应