机构

• 上海技术物理研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2009 [1]
• 2008 [1]

学科主题

• 红外基础研究 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：红外基础研究     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Impurity levels and bandedge electronic structure in as-grown arsenic-doped HgCdTe by infrared photoreflectance spectroscopy 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2009, 卷号: 80, 页码: 155125 作者:  Shao J(邵军)   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/07/14 Compensating impurity in high purity silicon single crystal investigated by photo-thermal ionization spectroscopy 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2008, 卷号: 57, 期号: 2, 页码: 1108-1102 作者:  Yu CH(余晨辉)   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2011/07/08