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InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 学位论文  OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  
刘炜
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纳米电子学方法在III-V族半导体光电功能结构中的应用研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  
殷豪
  |  收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2012/09/11
器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8903-8909
作者:  
江德生;  朱建军;  张书明;  邓懿;  吴亮亮
收藏  |  浏览/下载:29/0  |  提交时间:2011/08/16
Ⅲ-Ⅴ族氮化物射频等离子体MBE及特性研究 成果  OAI收割
鉴定: 无, 2001
齐鸣; 李爱珍; 李伟; 赵智彪; 张永刚; 李存才
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2μm锑化物激光器、探测器材料、器件及物理 学位论文  OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  , 2001
林春
收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2012/03/06
n型GaSb、InGaAsSb的MBE生长和特性研究 期刊论文  OAI收割
功能材料与器件学报, 1996, 期号: 04
郑燕兰; 李爱珍; 王建新; 茹国平; 李存才; 胡建
收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2012/03/29
气态源分子束外延InGaP/GaAs结构及其在异质结双极晶体管中的应用 期刊论文  OAI收割
功能材料与器件学报, 1995, 期号: 02
齐鸣; 李爱珍; 任尧成; 陈建新; 张永刚; 李存才
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2012/03/29