中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
上海微系统与信息技术... [4]
半导体研究所 [2]
上海技术物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [7]
内容类型
学位论文 [3]
期刊论文 [3]
成果 [1]
发表日期
2018 [1]
2010 [2]
2001 [2]
1996 [1]
1995 [1]
学科主题
光电子学 [2]
半导体器件 [1]
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
红外基础研究 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
InGaN量子阱及薄膜材料特性研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
刘炜
收藏
  |  
浏览/下载:168/0
  |  
提交时间:2018/06/20
Ingan
量子阱
薄膜
极化效应
局域态
本底载流子浓度
纳米电子学方法在III-V族半导体光电功能结构中的应用研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
殷豪
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2012/09/11
扫描探针显微方法
载流子
Ingaas红外探测器
Gan紫外探测器
电子学分布
器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8903-8909
作者:
江德生
;
朱建军
;
张书明
;
邓懿
;
吴亮亮
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2011/08/16
Ⅲ-Ⅴ族氮化物射频等离子体MBE及特性研究
成果
OAI收割
鉴定: 无, 2001
齐鸣
;
李爱珍
;
李伟
;
赵智彪
;
张永刚
;
李存才
收藏
  |  
浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2013/04/12
2μm锑化物激光器、探测器材料、器件及物理
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2001
林春
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2012/03/06
分子束外延
锑化物
激光器
探测器
应变多量子阱
n型GaSb、InGaAsSb的MBE生长和特性研究
期刊论文
OAI收割
功能材料与器件学报, 1996, 期号: 04
郑燕兰
;
李爱珍
;
王建新
;
茹国平
;
李存才
;
胡建
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2012/03/29
气态源分子束外延InGaP/GaAs结构及其在异质结双极晶体管中的应用
期刊论文
OAI收割
功能材料与器件学报, 1995, 期号: 02
齐鸣
;
李爱珍
;
任尧成
;
陈建新
;
张永刚
;
李存才
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2012/03/29