机构

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• OAI收割 [20]

内容类型

• 专利 [11]
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发表日期

• 2020 [1]
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学科主题

• 红外探测材料与器件 [2]
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浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者:  张翔   |  收藏  |  浏览/下载：124/0  |  提交时间：2020/11/19 背照式CMOS 图像传感器  总剂量效应  位移损伤效应   130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者:  席善学   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/07/15 总剂量效应  部分耗尽  浅槽隔离  模型   沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 期刊论文  OAI收割 电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 1128-1132 作者:  崔江维;  郑齐文;  余德昭;  周航;  苏丹丹   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2018/07/06 65nm  负偏压温度不稳定性  沟道宽度   γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017 作者:  苏丹丹   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/09/26 Mosfet  Tddb  辐射效应  可靠性   一种抬升共源区的NOR型闪存单元及其制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN201310145993.7, 申请日期: 2017-02-22, 公开日期: 2014-10-29 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2018/04/27 时域超宽带小型化天线技术与应用研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 王友成 收藏  |  浏览/下载：169/0  |  提交时间：2016/07/01 超宽带　天线　小型化　时域　频域　   基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 2 作者:  王帆;  李豫东;  郭旗;  汪波;  张兴尧;  文林;  何承发;  郭旗;  何承发;  李豫东;  文林 收藏  |  浏览/下载：98/0  |  提交时间：2016/03/01 互补金属氧化物半导体图像传感器  电离总剂量效应  钳位二极管  满阱容量   一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201110138464.5, 申请日期: 2014-07-23, 公开日期: 2012-11-28 作者:  谢常青;  王晨杰;  霍宗亮;  刘明;  张满红   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/04/14 一种垂直型NROM存储结构及其制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN201010573812.7, 申请日期: 2014-04-16, 公开日期: 2012-05-30 作者:  刘明;  霍宗亮;  刘璟;  张满红   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/05/14 重离子导致的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应电荷收集三维数值模拟 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2013, 卷号: 1.62, 期号: 4, 页码: 495-502 作者:  张晋新;  郭红霞;  郭旗;  文林;  崔江维 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/04/30 锗硅异质结双极晶体管  单粒子效应  电荷收集  三维数值仿真