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新疆理化技术研究所 [19]
采集方式
OAI收割 [19]
内容类型
学位论文 [9]
期刊论文 [9]
会议论文 [1]
发表日期
2021 [2]
2020 [1]
2019 [2]
2018 [1]
2017 [1]
2016 [1]
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双极运算放大器LM158电离总剂量与重离子协同辐射效应研究
期刊论文
OAI收割
核技术, 2021, 卷号: 44, 期号: 5, 页码: 64-70
作者:
蔡娇1,2,3
;
姚帅2,3,4
;
陆妩1,2,3
;
于新2,3
;
王信2,3
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2021/05/21
双极运算放大器
电离总剂量
单粒子瞬态
协同效应
不同温度辐照下栅控双极晶体管的总剂量效应参数退化研究(英文)
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2183-2190
作者:
相传峰1,2
;
李小龙1
;
陆妩1,2
;
王信1
;
刘默寒1
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2022/01/25
温度效应
总剂量效应
界面陷阱电荷
GLPNP双极晶体管
背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
张翔
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浏览/下载:122/0
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提交时间:2020/11/19
背照式CMOS 图像传感器
总剂量效应
位移损伤效应
深亚微米CMOS图像传感器像素单元累积辐射效应研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
马林东
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2019/07/15
CMOS图像传感器
总剂量效应
位移效应
极端辐射环境下双极晶体管的剂量率效应研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
刘默寒
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2019/07/15
双极晶体管
低剂量率辐射损伤增强效应
变温辐照加速评估方法
极高总剂量
氢化氧空位
界面陷阱电荷
氧化物陷阱电荷
质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响
期刊论文
OAI收割
现代应用物理, 2018, 卷号: 8, 期号: 4
作者:
马腾
;
崔江维
;
郑齐文
;
魏莹
;
赵京昊
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2018/07/20
辐射诱导泄漏电流
栅氧经时击穿
可靠性
质子辐照
部分耗尽soi
CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究
期刊论文
OAI收割
发光学报, 2017, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 182-187
作者:
玛丽娅
;
李豫东
;
郭旗
;
刘昌举
;
文林
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2017/02/23
电子辐照
CMOS有源像素传感器
暗信号
60Co-γ射线和电子束对CCD辐射效应的比较研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016
作者:
武大猷
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2016/09/27
电荷耦合器件
60co-γ辐照
电子辐照
辐射损伤
低剂量率损伤增强效应
深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 666-669
作者:
文林
;
李豫东
;
郭旗
;
孙静
;
任迪远
;
崔江维
;
汪波
;
玛丽娅
;
郭旗
;
李豫东
;
文林
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浏览/下载:66/0
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提交时间:2016/06/07
深亚微米
NMOSFET
总剂量效应
窄沟效应
电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 4, 页码: 537-540+544
作者:
文林
;
李豫东
;
郭旗
;
孙静
;
任迪远
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2015/09/09
深亚微米
NMOSFET
电子辐照
总剂量效应