机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2001 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Comprehensive analysis of microtwins in the 3c-sic films on si(001) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 40-44 作者:  Zheng, XH;  Qu, B;  Wang, YT;  Dai, ZZ;  Han, JY 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Chemical vapor deposition processes  Silicon carbide   Comprehensive analysis of microtwins in the 3C-SiC films on Si(001) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 40-44 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Dai ZZ; Han JY; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：98/10  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  chemical vapor deposition processes  silicon carbide  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  GROWTH  GAN  SI  DEFECTS  EPITAXY  LAYERS  MBE