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浏览/检索结果: 共1050条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Atomistic Insights on Surface Quality Control via Annealing Process in AlGaN Thin Film Growth 期刊论文  OAI收割 NANOMATERIALS, 2023, 卷号: 13, 期号: 8, 页码: 1382 作者:  Peng Q(彭庆);  Ma ZW(马知未);  Cai, Shixian;  Zhao S(赵帅);  Chen, Xiaojia   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2023/06/15 AlGaN thin film  molecular dynamics simulations  laser annealing  atomistic structure   Self-catalytic growth and characterization of AlGaN nanostructures with high Al composition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2022, 页码: 9 作者:  Liu, Zitong;  Shen, Longhai;  Chen, Jianjin;  Zhang, Xinglai   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2022/07/01 Effect of heavy ion irradiation on the interface traps of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2022, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 6 作者:  Lin, Zheng-Zhao;  Lu, Ling;  Zheng, Xue-Feng;  Cao, Yan-Rong;  Hu, Pei-Pei   |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2022/04/11 gallium nitride  radiation effects  defects  pulse testing   Van der Waals Epitaxy of c-Oriented Wurtzite AlGaN on Polycrystalline Mo Substrates for Enhanced Heat Dissipation 期刊论文  OAI收割 Acs Applied Materials & Interfaces, 2022, 卷号: 14, 期号: 33, 页码: 37947-37957 作者:  Y. Chen;  H. Zang;  S. L. Zhang;  Z. M. Shi;  J. W. Ben   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2023/06/14 AlGaN UV Detector with Largely Enhanced Heat Dissipation on Mo Substrate Enabled by van der Waals Epitaxy 期刊论文  OAI收割 2022 作者:  Y. Chen;  H. Zang;  J. Ben;  S. Zhang;  K. Jiang   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2023/06/14 Recent advances in optoelectronic and microelectronic devices based on ultrawide-bandgap semiconductors 期刊论文  OAI收割 Progress in Quantum Electronics, 2022, 卷号: 83, 页码: 29 作者:  J. L. Yang;  K. W. Liu;  X. Chen and D. Z. Shen   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2023/06/14 Recent Progress on AlGaN Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes below 250 nm 期刊论文  OAI收割 Crystals, 2022, 卷号: 12, 期号: 12, 页码: 23 作者:  C. Y. Zhang;  K. Jiang;  X. J. Sun and D. B. Li   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2023/06/14 Regulating the valence level arrangement of high-Al-content AlGaN quantum wells using additional potentials with Mg doping 期刊论文  OAI收割 Physical Chemistry Chemical Physics, 2022, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 5529-5538 作者:  S. Q. Lu;  T. C. Zheng;  K. Jiang;  X. J. Sun;  D. B. Li   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2023/06/14 Hybrid Ga2O3/AlGaN/GaN Ultraviolet Detector With Gate Metal in the Grooved AlGaN Layer for Obtaining Low Dark Current and Large Detectivity 期刊论文  OAI收割 Ieee Transactions on Electron Devices, 2022, 卷号: 69, 期号: 11, 页码: 6166-6170 作者:  Z. P. Liu;  C. S. Chu;  B. X. Wang;  G. S. Huang;  K. Jiang   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2023/06/14 The interface trap analysis of AlGaN/GaN high electron mobility transistors with temperature based on conductance method 期刊论文  OAI收割 Journal of Physics: Conference Series, 2022, 卷号: 2248, 期号: 1, 页码: 12016 作者:  Liang, Yongfeng;  Zhang, Heqiu;  Chen, Huanhuan;  Xing, He;  Cai, Tao   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2023/11/10