机构

• 中国科学院大学 [2]
• 化学研究所 [1]
• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• iSwitch采集 [2]
• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2019 [1]
• 2016 [2]
• 2006 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Raman spectroscopic determination of hole concentration in undoped GaAsBi 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 15008 作者:  Zhu Sixin;  Qiu Weiyang;  Wang Han;  Lin Tie;  Chen Pingping   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/11/13 GaAsBi  Raman spectroscopy  LO-phonon-plasmon-modes  Hole density  Hall measurements   Optical properties and band bending of ingaas/gaasbi/ingaas type-ii quantum well grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2016, 卷号: 120, 期号: 10, 页码: 6 作者:  Pan, Wenwu;  Zhang, Liyao;  Zhu, Liang;  Li, Yaoyao;  Chen, Xiren 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/09 Influence of gaasbi matrix on optical and structural properties of inas quantum dots 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2016, 卷号: 11, 期号: 1 作者:  Wang,Peng;  Pan,Wenwu;  Wu,Xiaoyan;  Liu,Juanjuan;  Cao,Chunfang 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/09 Inas  Quantum dot  Gaasbi  Mbe  Thermal stability   Lattice distortion of GaAsBi alloy grown on GaAs by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS, 2006, 卷号: 45, 期号: 1A, 页码: 67-69 作者:  Takehara, Y;  Yoshimoto, M;  Huang, W;  Saraie, J;  Oe, K   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/04/09 Gaasbi  Semimetal-semiconductor Alloy  X-ray Diffraction  Lattice Distortion  Molecular Beam Epitaxy  Rutherford Backscattering