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硅基III-V族量子点材料的外延生长及激光器制备
学位论文
OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:
唐天义
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提交时间:2022/07/25
硅基III-V族量子点材料的外延生长及激光器制备
学位论文
OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:
唐天义
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提交时间:2022/07/25
III-V族半导体材料中的圆偏振光学性质研究
学位论文
OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:
吴静
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提交时间:2022/07/26
大晶格失配和异价的Si与III-V族半导体带阶的直接计算
学位论文
OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
胡玉莹
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提交时间:2021/11/26
低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究
学位论文
OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
周媛
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提交时间:2021/06/18
III-V族半导体材料自旋量子比特研究
学位论文
OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
郝宏玥
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提交时间:2021/05/21
稀氮(Ga(In)AsN)材料的位移损伤效应研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
雷琪琪
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提交时间:2020/11/19
稀氮
Ga(In)AsN材料
光致发光
辐射损伤效应
退火
III-V族窄禁带半导体自旋电子学器件的材料与物理研究
学位论文
OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
童树成
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提交时间:2020/09/22
硅基III-V族多量子阱激光器的研究
学位论文
OAI收割
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
李亚节
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提交时间:2020/08/05
多波长硅基III-V族混合集成激光器、其阵列单元和制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN110289553A, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
作者:
郑婉华
;
孟然哲
;
王海玲
;
王明金
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提交时间:2020/01/18