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浏览/检索结果: 共117条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Titanium Nitride-Supported Platinum with Metal-Support Interaction for Boosting Photocatalytic H-2 Evolution of Indium Sulfide 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2021, 卷号: 13, 期号: 6, 页码: 7238-7247 作者:  Liu, Siqi;  Qi, Weiliang;  Adimi, Samira;  Guo, Haichuan;  Weng, Bo   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/12/01 Graphene-Nanorod Enhanced Quasi-Van Der Waals Epitaxy for High Indium Composition Nitride Films 期刊论文  OAI收割 SMALL, 2021, 卷号: 17, 期号: 19, 页码: 2100098 作者:  Zhang, Shuo;   Liu, Bingyao;   Ren, Fang;   Yin, Yue;   Wang, Yunyu;   Chen, Zhaolong;   Jiang, Bei;   Liu, Bingzhi;   Liu, Zhetong;   Sun, Jingyu;   Liang, Meng;   Yan, Jianchang;   Wei, Tongbo;   Yi, Xiaoyan;   Wang, Junxi;   Li, Jinmin;   Gao, Peng;   Liu, Zhongfan;   Liu, Zhiqiang   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2022/09/29 1 meV electron irradiation and post-annealing effects of GaInAsN diluted nitride alloy with 1 eV bandgap energy 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2020, 卷号: 709, 期号: 9, 页码: 1-5 作者:  Sailai, M (Sailai, Momin)[ 1 ];  Lei, QQ (Lei, Qi Qi)[ 1,2 ];  Aierken, A (Aierken, Abuduwayiti)[ 1,3 ];  Heini, M (Heini, Maliya)[ 1,4 ];  Zhao, XF (Zhao, Xiao Fan)[ 1 ]   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2020/10/23 Gallium indium arsenide nitride alloy  Electron irradiation  Photoluminescence  Thermal annealing  Arrhenius plot   On the Luminescence Properties and Surface Passivation Mechanism of III- and N-Polar Nanopillar Ultraviolet Multiple-Quantum-Well Light Emitting Diodes 期刊论文  OAI收割 MICROMACHINES, 2020, 卷号: 11, 期号: 6 作者:  Sheikhi, Moheb;  Dai, Yijun;  Cui, Mei;  Li, Liang;  Liu, Jianzhe   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/12/16 NITRIDE  PERFORMANCE  ALGAN/GAN   Semiconductor multilayer film reflecting mirror, vertical cavity light-emitting element using the reflecting mirror, and methods for manufacturing the reflecting mirror and the element 专利  OAI收割 专利号: EP3336981A1, 申请日期: 2018-06-20, 公开日期: 2018-06-20 作者:  TAKEUCHI, TETSUYA;  AKASAKI, ISAMU;  AKAGI, TAKANOBU   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/30 Electronic Structures and Optical Properties of Ga Doped Single-Layer Indium Nitride 期刊论文  OAI收割 CHINESE JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, 2018, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 313-317 作者:  Li, ZW;  Guo, DP;  Huang, GY;  Tao, WL;  Duan, MY   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/17 LIGHT-EMITTING-DIODES  INN  TRANSITION  TRANSPORT  BLUE   Room-temperature continuous-wave electrically pumped InGaN GaN quantum well blue laser diode directly grown on Si 期刊论文  OAI收割 Light-Science & Applications, 2018, 卷号: 7, 页码: 6 作者:  Sun, Y.;  Zhou, K.;  Feng, M. X.;  Li, Z. C.;  Zhou, Y.   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/09/17 x-ray-diffraction  high-power  gan  dislocation  relaxation  films  Optics   Dioda laserowa na bazie stopu AllnGaN 专利  OAI收割 专利号: PL228535B1, 申请日期: 2017-11-06, 公开日期: 2018-04-30 作者:  STAŃCZYK SZYMON;  KAFAR ANNA;  CZERNECKI ROBERT;  SUSKI TADEUSZ;  PERLIN PIOTR   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 Iii-nitride light emitting diodes with tunnel junctions wafer bonded to a conductive oxide and having optically pumped layers 专利  OAI收割 专利号: WO2017136832A1, 申请日期: 2017-08-10, 公开日期: 2017-08-10 作者:  MUGHAL, ASAD J.;  KOWSZ, STACY J.;  FARRELL, ROBERT M.;  YONKEE, BENJAMIN P.;  YOUNG, ERIN C.   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31