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OAI收割 [88]
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专利 [86]
期刊论文 [2]
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2013 [1]
2012 [1]
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Performance Characterization of Thin-Film InGaAs Solar Cells with Double-Hetero-Structure and InP Window-Layers of Various Thicknesses
期刊论文
OAI收割
Journal of Computational and Theoretical Nanoscience, 2015, 卷号: 12, 期号: 5, 页码: 736-741
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提交时间:2016/05/16
DOUBLE-HETERO-STRUCTURE
HIGH SHORT-CIRCUIT CURRENT
INP WINDOW LAYER
SPECIFIC CONTACT RESISTIVITY
THIN-FILM INGAAS SOLAR CELL
Extended spectral response in In0.82Ga0.18As/InP photodetector using InP as a window layer grown by MOCVD
期刊论文
OAI收割
Crystengcomm, 2013, 卷号: 15, 期号: 42
Miao G. Q.
;
Zhang T. M.
;
Zhang Z. W.
;
Jin Y. X.
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提交时间:2014/05/14
Photodiode array, method for manufacturing photodiode array, epitaxial wafer, and method for manufacturing epitaxial wafer
专利
OAI收割
专利号: US8309380, 申请日期: 2012-11-13, 公开日期: 2012-11-13
作者:
AKITA, KATSUSHI
;
ISHIZUKA, TAKASHI
;
FUJII, KEI
;
NAGAI, YOUICHI
;
NAKAHATA, HIDEAKI
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor photonic integrated circuit and fabrication process therefor
专利
OAI收割
专利号: US5703974, 申请日期: 1997-12-30, 公开日期: 1997-12-30
作者:
SASAKI, TATSUYA
;
TAKEUCHI, TAKESHI
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提交时间:2019/12/26
Article comprising a semiconductor laser with carrier stopper layer
专利
OAI收割
专利号: US5539762, 申请日期: 1996-07-23, 公开日期: 1996-07-23
作者:
BELENKY, GREGORY
;
KZARINOV, RUDOLF F.
;
KOJIMA, KEISUKE
;
REYNOLDS, JR., CLAUDE L.
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提交时间:2019/12/26
光素子
专利
OAI收割
专利号: JP1995050808B2, 申请日期: 1995-05-31, 公开日期: 1995-05-31
作者:
山口 昌幸
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提交时间:2019/12/24
半導体レーザ素子の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1994007640B2, 申请日期: 1994-01-26, 公开日期: 1994-01-26
作者:
的場 昭大
;
大柴 小枝子
;
小川 洋
;
川井 義雄
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提交时间:2020/01/13
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专利
OAI收割
专利号: JP1993009951B2, 申请日期: 1993-02-08, 公开日期: 1993-02-08
作者:
HIGUCHI HIDEYO
;
NAMISAKI HIROBUMI
;
OOMURA ETSUJI
;
IKEDA KENJI
;
SAKAKIBARA YASUSHI
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提交时间:2020/01/18
Traveling wave type optical amplifier
专利
OAI收割
专利号: JP1992179179A, 申请日期: 1992-06-25, 公开日期: 1992-06-25
作者:
SUHARA MOTOI
;
TANIOKA AKIRA
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1992097582A, 申请日期: 1992-03-30, 公开日期: 1992-03-30
作者:
YAMAMOTO YUKO
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提交时间:2020/01/18