中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
物理研究所 [3]
宁波材料技术与工程研... [1]
大连化学物理研究所 [1]
重庆绿色智能技术研究... [1]
半导体研究所 [1]
上海光学精密机械研究... [1]
更多
采集方式
OAI收割 [7]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2021 [1]
2020 [1]
2019 [1]
2017 [2]
2013 [1]
2005 [2]
更多
学科主题
Energy & F... [1]
Materials ... [1]
Physics [1]
光电子学 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Direct optical observation of DNA clogging motions near controlled dielectric breakdown silicon nitride nanopores
期刊论文
OAI收割
SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL, 2021, 卷号: 349, 页码: 7
作者:
Xie, Wanyi
;
Tian, Haibing
;
Fang, Shaoxi
;
Zhou, Daming
;
Liang, Liyuan
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2021/11/26
Controlled dielectric breakdown (CBD)
Solid-state nanopore
DNA
Motions
Fluorescence
Ultrathin silicon oxide prepared by in-line plasma-assisted N2O oxidation (PANO) and the application for n-type polysilicon passivated contact
期刊论文
OAI收割
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2020, 卷号: 208
作者:
Huang, Yuqing
;
Liao, Mingdun
;
Wang, Zhixue
;
Guo, Xueqi
;
Jiang, Chunsheng
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2020/12/16
SOLAR-CELLS
POLO-JUNCTIONS
SI
PHOSPHORUS
THICKNESS
LAYERS
The substantial dislocation reduction by preferentially passivating etched defect pits in gan epitaxial growth
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics express, 2019, 卷号: 12, 期号: 3
作者:
Hu,Wei
;
Die,Junhui
;
Wang,Caiwei
;
Yan,Shen
;
Hu,Xiaotao
收藏
  |  
浏览/下载:143/0
  |  
提交时间:2019/05/09
Gallium nitride
Defect preferential passivation
In situ sinx
Dislocation reduction
Prevention effect
Effect of argon flow on promoting boron doping for in-situ grown silicon nitride thin films containing silicon quantum dots
期刊论文
OAI收割
NANOTECHNOLOGY, 2017, 卷号: 28
作者:
Liu, Jia
;
Liu, Bin
;
Zhang, Xisheng
;
Guo, Xiaojia
;
Liu, Shengzhong (Frank)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:60/0
  |  
提交时间:2017/10/29
Si Quantum Dot
Silicon Nitride Thin Film
Pecvd
Boron-doping
Argon Dilution
The growth optimization and mechanism of N-polar GaN films with an in situ porous SiNx interlayer
期刊论文
OAI收割
CrystEngComm, 2017, 卷号: 19, 页码: 4330–4337
作者:
Gaoqiang Deng
;
Yuantao Zhang
;
Zhen Huang
;
Long Yan
;
Pengchong Li
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2018/11/30
Influence of adsorption kinetics on stress evolution in magnetron-sputtered SiO2 and SiNx films
期刊论文
OAI收割
j. appl. phys., 2013, 卷号: 114, 期号: 3, 页码: 034305
作者:
Li, Jingping
;
Fang, Ming
;
He, Hongbo
;
Shao, Jianda
;
Li, Zhaoyang
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2016/11/28
Thermodynamic effects on the sintered Nd-Fe-B magnets
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2005, 卷号: 54, 期号: 11, 页码: 5400
Li, Z
;
He, YQ
;
Hu, BP
;
Wang, ZX
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2013/09/23
ALLOYS
HEAT
Residual stress in the GaN epitaxial film prepared by in situ SiNx deposition
期刊论文
OAI收割
ACTA PHYSICA SINICA, 2005, 卷号: 54, 期号: 11, 页码: 5450
Qin, Q
;
Yu, NS
;
Guo, LW
;
Wang, Y
;
Zhu, XL
;
Chen, H
;
Zhou, JM
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2013/09/24
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
LIGHT-EMITTING-DIODES
OPTICAL-PROPERTIES
PLANE SAPPHIRE
OVERGROWN GAN
ALPHA-GAN
LAYERS
SUBSTRATE
ALN