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发表日期

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浏览/检索结果: 共41条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Semiconductor saturable absorber mirror in the 3-5 mu m mid-infrared region 期刊论文  OAI收割 OPTICS LETTERS, 2022, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 890-893 作者:  Qin, Zhipeng;  Chai, Xuliang;  Xie, Guoqiang;  Xu, Zhicheng;  Zhou, Yi   |  收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2022/04/11 Mid Wavelength Type II InAs/GaSb Superlattice Avalanche Photodiode With AlAsSb Multiplication Layer 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 卷号: 42, 期号: 11, 页码: 1634-1637 作者:  Yan, Shaolong;   Huang, Jianliang;   Zhang, Yanhua;   Ma, Wenquan   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2022/03/28 Multiphoton absorption in type-II InAs/GaSb superlattice structure 期刊论文  OAI收割 OPTICS LETTERS, 2020, 卷号: 45, 期号: 1, 页码: 165-168 作者:  Chengcheng Zhao;   Jianliang Huang;   Biying Nie;   Jinchuan Zhang;   Yanhua Zhang;   Wenquan Ma   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2021/12/16 Long Wavelength Type II InAs/GaSb Superlattice Photodetector Using Resonant Tunneling Diode Structure 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2020, 卷号: 41, 期号: 1, 页码: 73-75 作者:  Biying Nie;   Jianliang Huang;   Chengcheng Zhao;   Yanhua Zhang;   Wenquan Ma   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/12/16 Long wavelength type II InAs/GaSb superlattice photodetector using resonant tunneling diode structure 期刊论文  OAI收割 IEEE Electron Device Letters, 2019, 卷号: 41, 期号: 1, 页码: 73-75 作者:  Biying Nie;   Jianliang Huang;   Chengcheng Zhao;   Yanhua Zhang;   Wenquan Ma   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/07/30 Multiphoton absorption in type-II InAs/GaSb superlattice structure 期刊论文  OAI收割 Optics Letters, 2019, 卷号: 45, 期号: 1, 页码: 165-168 作者:  Chengcheng Zhao;   Jianliang Huang;   Biying Nie;   Jinchuan Zhang;   Yanhua Zhang;   Wenquan Ma   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/08/04 Visible-extended mid-infrared wide spectrum detector based on InAs/GaSb type-II superlattices (T2SL) 期刊论文  OAI收割 INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 89, 页码: 147-153 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2018/12/12 Wide Spectrum Detector  Microstructure  Inas/gasb Type-ii Superlattice  Photon Traps   Broadband antireflection coating for the near-infrared InAs/GaSb Type-II superlattices photodetectors by lift-off process 会议论文  OAI收割 Beijing, China, 2018-10-12 作者:  Jia, Qing-Xuan;  Guo, Chun-Yan;  Sun, Yao-Yao;  Yang, Cheng-Ao;  Lv, Yue-Xi   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/03/07 Performance comparison between the InAs-based and GaSb-based type-II superlattice photodiodes for long wavelength infrared detection 期刊论文  OAI收割 OPTICS EXPRESS, 2017, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1629-1635 作者:  Wang FF;  Chen JX;  Xu ZC;  Zhou Y;  He L   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/11/20 Bias-selectable mid-/long-wave dual band infrared focal plane array based on Type-II InAs/GaSb superlattice 期刊论文  OAI收割 Infrared Physics & Technology, 2017, 卷号: 86, 页码: 159–164 作者:  Zhi Jiang;  Xi Han;  Yao-Yao Sun;  Chun-Yan Guo;  Yue-Xi Lv 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/06/15