机构

• 数学与系统科学研究院 [1]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2021 [1]
• 1992 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Analytical Surface Potential-Based Compact Model for Independent Dual Gate a-IGZO TFT 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 卷号: 68, 期号: 4, 页码: 2049-2055 作者:  Guo, Jingrui;  Zhao, Ying;  Yang, Guanhua;  Chuai, Xichen;  Lu, Wenhao   |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2021/06/01 Electric potential  Solid modeling  Logic gates  Integrated circuit modeling  Numerical models  Thin film transistors  Analytical models  Analytical models  independent dual gate (IDG) amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors (IDG a-IGZO TFTs)  Schroder method  surface potential  threshold compensation effect   Electroweak parameters of the z0 resonance and the standard model 期刊论文  iSwitch采集 Physics letters b, 1992, 卷号: 276, 期号: 1-2, 页码: 247-253 作者:  DECAMP, D;  Deschizeaux, B;  Goy, C;  Lees, JP;  Minard, MN 收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2019/04/23