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浏览/检索结果: 共269条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Excitonic effects on electron spin orientation and relaxation in wurtzite GaN 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2021, 卷号: 104, 期号: 12, 页码: 125202 作者:  Zhang, Shixiong;   Tang, Ning;   Zhang, Xiaoyue;   Liu, Xingchen;   Guan, Hongming;   Zhang, Yunfan;   Qian, Xuan;   Ji, Yang;   Ge, Weikun;   Shen, Bo   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2022/03/28 On the Luminescence Properties and Surface Passivation Mechanism of III- and N-Polar Nanopillar Ultraviolet Multiple-Quantum-Well Light Emitting Diodes 期刊论文  OAI收割 MICROMACHINES, 2020, 卷号: 11, 期号: 6 作者:  Sheikhi, Moheb;  Dai, Yijun;  Cui, Mei;  Li, Liang;  Liu, Jianzhe   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/12/16 NITRIDE  PERFORMANCE  ALGAN/GAN   Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48 作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Chen, Li;  Yu, Huabin;  Jiang, Jie'an   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2020/12/16 INVERSION DOMAIN BOUNDARIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  C-GAN DOMAINS  GALLIUM NITRIDE  N-POLARITY  2ND-HARMONIC GENERATION  SURFACE-MORPHOLOGY  GAAS FILMS  GROWTH  ALN   Elimination of the internal electrostatic field in two-dimensional GaN-based semiconductors 期刊论文  OAI收割 Npj 2d Materials and Applications, 2020, 卷号: 4, 期号: 1, 页码: 7 作者:  Y. P. Jia,Z. M. Shi,W. T. Hou,H. Zang,K. Jiang,Y. Chen,S. L. Zhang,Z. B. Qi,T. Wu,X. J. Sun and D. B. Li   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2021/07/06 Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48 作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Chen, Li;  Yu, Huabin;  Jiang, Jie'an   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/12/01 INVERSION DOMAIN BOUNDARIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  C-GAN DOMAINS  GALLIUM NITRIDE  N-POLARITY  2ND-HARMONIC GENERATION  SURFACE-MORPHOLOGY  GAAS FILMS  GROWTH  ALN   Integration of BaTiO3/CoFe2O4 multiferroic heterostructure on GaN semiconductor 期刊论文  OAI收割 CRYSTENGCOMM, 2019, 卷号: 21, 期号: 43, 页码: 6545 作者:  Li, Guanjie;  Li, Xiaomin;  Zhu, Qiuxiang;  Zhao, Junliang;  Gao, Xiangdong   |  收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2019/12/26 Atomic configurations of basal stacking faults and dislocation loops in GaN irradiated with Xe-20(+) ions at room temperature 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 卷号: 486, 页码: 15-21 作者:  Li, Bingsheng;  Liu, Huiping;  Lu, Xirui;  Kang, Long;  Sheng, Yanbin   |  收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2019/11/10 GaN  Xe irradiation  Transmission electron microscopy  Stacking faults  Dislocation loops   Epitaxial growth of (111) BaTiO3 thin films on (0002) GaN substrates with SrTiO3/TiN buffer layers 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2019, 卷号: 30, 期号: 10, 页码: 9751 作者:  Jia, Shasha;  Li, Xiaomin;  Li, Guanjie;  Xie, Sijie;  Chen, Yongbo   |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/12/26 Epitaxial growth mechanism of perovskite (111) SrTiO3 on wurtzite (0002) GaN with single unit- cell TiN buffer layers 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 卷号: 465, 页码: 1055 作者:  Li, Guanjie;  Li, Xiaomin;  Chen, Yongbo;  Jia, Shasha;  Xu, Xiaoke   |  收藏  |  浏览/下载：117/0  |  提交时间：2019/12/31 Epitaxial growth  SrTiO3  GaN  TiN buffer layer  Pulsed laser deposition   Structural stability and electronic properties of the (0001) inversion domain boundary in III-nitrides 期刊论文  OAI收割 COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2018, 卷号: 154, 页码: 152-158 作者:  Li, Siqian;  Lei, Huaping;  Anglade, Pierre-Matthieu;  Chen, Jun;  Ruterana, Pierre   |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/12/20 Inversion domain boundary (IDB)  Group III-nitrides  DFT  Chemical bonding  Electronic structure