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浏览/检索结果: 共955条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Room-temperature MoTe2/InSb heterostructure large-area terahertz detector 期刊论文  OAI收割 Infrared Physics and Technology, 2024, 卷号: 137 作者:  Wang, Jiatong;  Zhang, Min;  Zhou, Zhiwen;  Li, Ling;  Song, Qi   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2024/03/13 Terahertz detector  Heterostructure  Interdigital electrodes   Configuration of the active region for the Ge-on-Si photodetector based on carrier mobility 期刊论文  OAI收割 FRONTIERS IN PHYSICS, 2023, 卷号: 11 作者:  Chang, Chang;  Xie, Xiaoping;  Li, Tiantian;  Cui, Jishi   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2023/08/01 silicon photonics  Ge-on-Si photodetector  PIN junction  carrier mobility  bandwidth  responsivity   Topological states of thermoelectric Yb-filled skutterudites 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2023, 卷号: 107, 期号: 12, 页码: 125202 作者:  Pang, HongJie;  Yu, Hao;  Li, WeiJian;  Chen, LiuCheng;  Qiu, PengFei   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2023/06/15 MgXN2 (X = Hf/Zr) Monolayers: Auxetic Semiconductor with Highly Anisotropic Optical/Mechanical Properties and Carrier Mobility br 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY LETTERS, 2022 作者:  Li, Pengfei;  Xu, Yuehua;  Liang, Changhao;  Zeng, Xiao Cheng   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2022/12/23 Atomic Level Defect Structure Engineering for Unusually High Average Thermoelectric Figure of Merit in n-Type PbSe Rivalling PbTe 期刊论文  OAI收割 ADVANCED SCIENCE, 2022 作者:  Ge, Bangzhi;  Lee, Hyungseok;  Huang, Lulu;  Zhou, Chongjian;  Wei, Zhilei   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2022/12/23 average thermoelectric figure of merit  nanoscale defect  PbSe  power factor  thermoelectric   Theoretical design of BAs/WX2 (X = S, Se) heterostructures for high-performance photovoltaic applications from DFT calculations 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2022, 卷号: 599, 页码: 11 作者:  Guan, Yue;  Li, Xiaodan;  Hu, Qingmiao;  Zhao, Dandan;  Zhang, Lin   |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2022/09/16 First principle calculations  2D materials  Heterojunction  Electronic structure  Electric field  Photovoltaic applications   Engineering Graphene Grain Boundaries for Plasmonic Multi-Excitation and Hotspots 期刊论文  OAI收割 ACS NANO, 2022, 卷号: 16, 期号: 6, 页码: 9041-9048 作者:  Ma, Teng;  Yao, Baicheng;  Zheng, Zebo;  Liu, Zhibo;  Ma, Wei   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2022/09/16 graphene  chemical vapor deposition  grain boundary  plasmonics  co-excitation  hotspots   Engineering Graphene Grain Boundaries for Plasmonic Multi-Excitation and Hotspots 期刊论文  OAI收割 ACS NANO, 2022, 卷号: 16, 期号: 6, 页码: 9041-9048 作者:  Ma, Teng;  Yao, Baicheng;  Zheng, Zebo;  Liu, Zhibo;  Ma, Wei   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2022/09/16 graphene  chemical vapor deposition  grain boundary  plasmonics  co-excitation  hotspots   Controlled growth of two-dimensional InAs single crystals via van der Waals epitaxy 期刊论文  OAI收割 NANO RESEARCH, 2022, 页码: 6 作者:  Dai, Jiuxiang;  Yang, Teng;  Jin, Zhitong;  Zhong, Yunlei;  Hu, Xianyu   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2022/07/14 two-dimensional materials  van der Waals epitaxy  indium arsenide  nonlayered material   Key factors for ultra-high on/off ratio thin-film transistors using as-grown carbon nanotube networks 期刊论文  OAI收割 RSC ADVANCES, 2022, 卷号: 12, 期号: 25, 页码: 16291-16295 作者:  Sun, Yun;  Li, Pengpeng;  Kauppinen, Esko, I;  Sun, Dong-Ming;  Ohno, Yutaka   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2022/07/14