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浏览/检索结果: 共137条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Evidence of defect-annealing effect in swift heavy-ion-irradiated indium phosphide 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF RAMAN SPECTROSCOPY, 2022, 页码: 9 作者:  Hu, Peipei;  Xu, Lijun;  Zhai, Pengfei;  Zeng, Jian;  Zhang, Shengxia   |  收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2022/04/11 defect-annealing  heavy ions  InP  Raman intensity   Heterogeneous Computational Resource Allocation for C-RAN: A Contract-Theoretic Approach 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON SERVICES COMPUTING, 2021, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 2026-2040 作者:  Gao, Mingjin;  Shen, Rujing;  Yan, Shihao;  Li, Jun;  Guan, Haibing   |  收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2022/06/21 Contracts  Resource management  Indium phosphide  III-V semiconductor materials  Base stations  Closed-form solutions  Computer science  Heterogeneous computational resources allocation  virtualized base station  cloud-RAN  cellular networks  contract theory  incentive mechanism   Nonpolar-Oriented Wurtzite InP Nanowires with Electron Mobility Approaching the Theoretical Limit 期刊论文  OAI收割 ACS NANO, 2018, 卷号: 12, 期号: 10, 页码: 10410-10418 作者:  Sun, Jiamin;  Yin, Yanxue;  Han, Mingming;  Yang, Zai-xing;  Lan, Changyong   |  收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2018/12/04 Inp Nanowire  Nonpolar  Electron Mobility  Vapor-solid-solid  In-plane Lattice Mismatch   Diameter Dependence of Planar Defects in InP Nanowires 期刊论文  OAI收割 SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 卷号: 6, 期号: SEP, 页码: 32910 作者:  Wang, Fengyun;  Wang, Chao;  Wang, Yiqian;  Zhang, Minghuan;  Han, Zhenlian 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2016/11/21 AlGaInP-based semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: US9425583, 申请日期: 2016-08-23, 公开日期: 2016-08-23 作者:  HAGIMOTO, MASATO;  FUKAI, HARUKI;  KIYOSUMI, TSUTOMU;  SASAKI, SHINJI;  KAWANAKA, SATOSHI   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 Raman investigation of lattice defects and stress induced in InP and GaN films by swift heavy ion irradiation 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2016, 卷号: 372, 页码: 29-37 作者:  Hu, P. P.;  Liu, J.;  Zhang, S. X.;  Maaz, K.;  Zeng, J.   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/05/31 InP  GaN  Swift heavy ion irradiation  Raman shift  Defects   具有高热波长调谐效率的可调激光器 专利  OAI收割 专利号: CN105409071A, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2016-03-16 作者:  陈宏民;  颜学进;  苗容生;  沈晓;  刘宗荣   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 Surface state and optical property of sulfur passivated InP 期刊论文  OAI收割 Materials Science in Semiconductor Processing, 2014, 期号: 17, 页码: 33-37 Tian S. S.; Wei Z. P.; Li Y. F.; Zhao H. F.; Fang X.; Tang J. L.; Fang D.; Sun L. J.; Liu G. J.; Yao B.; Ma X. H. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/04/24 Pyramid-like spikes in a single crystal superalloy produced by picosecond laser irradiation 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 2013, 卷号: 113, 期号: 2, 页码: 373-377 作者:  Zhang, Wei;  Cui, Xiangzhong;  Feng, Qiang;  Cheng, Guanghua;  Ma, Guojia 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2014/09/17 Plasma frequency and dielectric function dependence on doping and temperature for p-type indium phosphide epitaxial films 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2012, 卷号: 24, 期号: 43, 页码: 435803 Jayasinghe, RC; Lao, YF; Perera, AGU; Hammar, M; Cao, CF; Wu, HZ 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/04/17