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半导体研究所 [1]
采集方式
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2002 [1]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
帮助
限定条件
存缴方式:iswitch
发表日期:2002
条数/页:
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Structural characterization of epitaxial lateral overgrown gan on patterned gan/gaas(001) substrates
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 246, 期号: 1-2, 页码: 69-72
作者:
Shen, XM
;
Fu, Y
;
Feng, G
;
Zhang, BS
;
Feng, ZH
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提交时间:2019/05/12
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