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• 微电子研究所 [9]

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• OAI收割 [9]

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• 期刊论文 [9]

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• 2016 [9]

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Epitaxial nucleation of CVD bilayer graphene on copper 期刊论文  OAI收割 Nanoscale, 2016 作者:  Xia Y(夏洋)   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/05/09 High Uniformity Normally-OFF GaN MIS-HEMTs Fabricated on Ultra-Thin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure 期刊论文  OAI收割 IEEE Electron Device Letters, 2016 作者:  Liu XY(刘新宇);  Huang S(黄森);  Wang XH(王鑫华)   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/05/08 Realizing controllable graphene nucleation by regulating the competition of hydrogen and oxygen during chemical vapor deposition heating 期刊论文  OAI收割 Phys Chem Chem Phys, 2016 作者:  Jin Z(金智)   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/05/08 Edge morphology evolution of graphene domains during chemical vapor deposition cooling revealed through hydrogen etching 期刊论文  OAI收割 NANOSCALE, 2016 作者:  Jin Z(金智)   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/05/08 Invisible growth of microstructural defects in graphene chemical vapor deposition on copper foil 期刊论文  OAI收割 CARBON, 2016 作者:  Jin Z(金智)   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/05/08 Investigation of the interface between LPCVD-SiNx gate dielectric and III-nitride for AlGaN/GaN MIS-HEMTs 期刊论文  OAI收割 Journal of Vacuum Science & Technology B, 2016 作者:  Wang XH(王鑫华)   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2017/05/08 The role of hydrogen in oxygen-assisted chemical vapor deposition growth of millimeter-sized graphene single crystals 期刊论文  OAI收割 Nanoscale, 2016 作者:  Xia Y(夏洋)   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2017/05/09 Novel Temperature Calibration for Epitaxial Growth 期刊论文  OAI收割 Instrumentation Science & Technology, 2016 作者:  Yan D(严冬);  Wang LZ(王林梓);  Li CM(李成敏)   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/05/09 Evolution of film curvature profile during light-emitting diode epitaxial growth 期刊论文  OAI收割 Instrumentation Science & Technology, 2016 作者:  Yan D(严冬)   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2017/05/09