机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2009 [2]

学科主题

• 光电子学 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学    发表日期：2009     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Kinetically controlled InN nucleation on GaN templates by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 14, 页码: art. no. 145410 作者:  Zhang SM;  Yang H;  Yang H;  Wang YT 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  QUANTUM DOTS  BAND-GAP  GROWTH  SURFACES   The influence of growth temperature and input V/III ratio on the initial nucleation and material properties of InN on GaN by MOCVD 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: art. no. 055001 作者:  Yang H;  Jiang DS;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：88/41  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ELECTRON-TRANSPORT  BAND-GAP  FILMS  SAPPHIRE