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  • 1990 [1]
学科主题
  • 半导体材料 [1]
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ELIMINATION OF STACKING-FAULTS IN A SILICON EPITAXIAL LAYER OF (100) ORIENTATION BY HEAT-TREATMENT 期刊论文  OAI收割
journal of applied physics, 1990, 卷号: 67, 期号: 11, 页码: 7176-7178
CAI TH
收藏  |  浏览/下载:212/63  |  提交时间:2010/11/15