机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 会议论文 [4]

发表日期

• 2008 [1]
• 2002 [1]
• 1999 [2]

学科主题

• 半导体材料 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：会议论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Observation of photogalvanic current for interband absorption in InN films at room temperature 会议论文  OAI收割 2nd ieee international nanoelectronics conference, shanghai, peoples r china, mar 24-27, 2008 Tang, CG; Chen, YH; Liu, Y; Zhang, RQ; Liu, XL; Wang, ZG; Zhang, R; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/03/09 QUANTUM-WELLS  SPIN   Strong red light emission from silicon nanocrystals embedded in SIO2 matrix 会议论文  OAI收割 conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002 Chen WD; Wang YQ; Chen CY; Diao HW; Liao XB; Kong GL; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/10/29 PHOTOLUMINESCENCE  LUMINESCENCE  SPECTROSCOPY  DEPOSITION   Photocurrent derivative spectra of ZnCdSe-ZnSe double multi-quantum wells 会议论文  OAI收割 40th electronic materials conference (emc-40), charlottesville, virginia, jun 24-26, 1998 作者:  Zhang JY;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/15 double multi-quantum wells  photocurrent spectra  ZnCdSe-ZnSe  SPECTROSCOPY  PHOTOLUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  PHOTODETECTORS   Effect of rapid thermal annealing on the Raman spectrum of Si0.33Ge0.67/Si (100) alloy 会议论文  OAI收割 9th international symposium on nondestructive characterization of materials, sydney, australia, jun 28-jul 02, 1999 Liu JP; Kong MY; Huang DD; Li JP; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/10/29 STRAIN-SHIFT COEFFICIENTS  SI1-XGEX  SILICON  PHONONS