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机构
半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
会议论文 [4]
发表日期
2004 [1]
2000 [1]
1998 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
光电子学 [1]
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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限定条件
内容类型:会议论文
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
条数/页:
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85
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Study of infrared luminescence from Er-implanted GaN films
会议论文
OAI收割
international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003
Chen WD
;
Song SF
;
Zhu JJ
;
Wang XL
;
Chen CY
;
Hsu CC
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浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2010/11/15
doping
metalorganic chemical vapor deposition
molecular beam epitaxy
gallium compounds
semiconducting gallium compounds
ERBIUM
Mechanism on exciton-mediated energy transfer in erbium-doped silicon
会议论文
OAI收割
international-union-of-materials-research-societies international conference on advanced materials (iumrs-icam 99), beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
Lei HB
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2010/11/15
Er-doped silicon
photoluminescence
energy transfer
AL2O3 WAVE-GUIDES
ER
ELECTROLUMINESCENCE
EPITAXY
GAAS
High-field cyclotron resonance and electron-phonon interaction in modulation-doped multiple quantum well structures
会议论文
OAI收割
13th international conference on high magnetic fields in semiconductor physics, nijmegen, netherlands, aug 10-14, 1998
Wang YJ
;
Jiang ZX
;
McCombe BD
;
Peeters FM
;
Wu XG
;
Hai GQ
;
Eustis TJ
;
Schaff W
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/11/15
cyclotron resonance
electron-phonon interaction
electron-electron interaction
high magnetic fields
EXCHANGE ENHANCEMENT
GAAS
HETEROSTRUCTURES
GAS
LIMIT
HETEROJUNCTIONS
POLARONS
MODES
LEVEL
Photoluminescence measurements on erbium-doped silicon
会议论文
OAI收割
conference on integrated optoelectronics ii, beijing, peoples r china, sep 18-19, 1998
Lei HB
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/10/29
erbium-doped silicon
photoluminescence
energy transfer