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  • 外文期刊 [2]
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  • 2009 [2]
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Effect of Al-diffusion-induced positive flatband voltage shift on the electrical characteristics of Al-incorporated high-k metal-oxide-semiconductor field-effective transistor 外文期刊  OAI收割
2009
作者:  
Toriumi, A;  Ota, H;  Nabatame, T;  Mizubayashi, W;  Akiyama, K
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Role of interface dipole in metal gate/high-k effective work function modulation by aluminum incorporation 外文期刊  OAI收割
2009
作者:  
Yan, L;  Zhang, XW;  Xiao, ZS;  Chu, PK;  Wang, WW
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2010/11/26