机构

• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 外文期刊 [1]

发表日期

• 2010 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊    发表日期：2010     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Comprehensive understanding of the effect of electric dipole at high-k/SiO2 interface on the flatband voltage shift in metal-oxide-semiconductor device 外文期刊  OAI收割 2010 作者:  Han, K;  Wang, WW;  Ma, XL;  Chen, DP;  Zhang, J   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/26 Work Function  Gate