机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2017 [1]
• 2010 [1]
• 2006 [1]

学科主题

• 半导体物理 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 相琳琳 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/06/01 第一性原理计算  电子结构性质  单轴应变  II-VI族半导体材料  纳米线   Quantum Confinement Effects and Electronic Properties of SnO2 Quantum Wires and Dots 期刊论文  OAI收割 journal of physical chemistry c, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2010, 2010, 卷号: 114, 114, 期号: 11, 页码: 4841-4845, 4841-4845 作者:  Deng HX (Deng Hui-Xiong);  Li SS (Li Shu-Shen);  Li JB (Li Jingbo);  Li, JB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn   |  收藏  |  浏览/下载：79/17  |  提交时间：2010/04/13 1ST-PRINCIPLES CALCULATIONS  1st-principles Calculations  Molecular-dynamics  Indium-phosphide  Exciton-states  Small Pbse  Nanocrystals  Photoluminescence  Generation  Nanowires  MOLECULAR-DYNAMICS  INDIUM-PHOSPHIDE  EXCITON-STATES  SMALL PBSE  NANOCRYSTALS  PHOTOLUMINESCENCE  GENERATION  NANOWIRES   Mutual passivation of donors and isovalent nitrogen in GaAs 期刊论文  OAI收割 physical review letters, 2006, 卷号: 96, 期号: 3, 页码: art.no.035505 Li J; Carrier P; Wei SH; Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2010/04/11 DILUTED GANXAS1-X ALLOYS  GROUP-IV DONORS  SEMICONDUCTOR ALLOYS  OPTICAL-PROPERTIES  BAND  GAN(X)AS1-X  IMPURITIES  HYDROGEN