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Group-III nitride devices and systems on IBAD-textured substrates 专利  OAI收割
专利号: US10243105, 申请日期: 2019-03-26, 公开日期: 2019-03-26
作者:  MATIAS, VLADIMIR
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Transient Electronic Devices Comprising Inorganic or Hybrid Inorganic and Organic Substrates and Encapsulates 专利  OAI收割
专利号: US20170164482A1, 申请日期: 2017-06-08, 公开日期: 2017-06-08
作者:  ROGERS, JOHN A.;  KANG, SEUNG-KYUN;  HWANG, SUKWON;  CHENG, JIANJUN;  ZHANG, YANFENG
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Method of forming a group III-nitride crystalline film on a patterned substrate by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) 专利  OAI收割
专利号: US8507304, 申请日期: 2013-08-13, 公开日期: 2013-08-13
作者:  KRYLIOUK, OLGA;  MELNIK, YURIY;  KOJIRI, HIDEHIRO;  ISHIKAWA, TETSUYA
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Nitrogen sources for molecular beam epitaxy 专利  OAI收割
专利号: WO2004022819A1, 申请日期: 2004-03-18, 公开日期: 2004-03-18
作者:  JOHNSON, RALPH, H.;  GUENTER, JAMES, K.;  KIM, JIN, K.
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High gain laser amplifier 专利  OAI收割
专利号: WO2003063306A1, 申请日期: 2003-07-31, 公开日期: 2003-07-31
作者:  BRUESSELBACH, HANS, W.;  BETIN, ALEXANDER, A.;  SUMIDA, DAVID, S.
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Layered material having properties that are variable by an applied electric field 专利  OAI收割
专利号: US6413659, 申请日期: 2002-07-02, 公开日期: 2002-07-02
作者:  ROTHBERG, GERALD M.
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Methods for forming group III-V arsenide-nitride semiconductor materials 专利  OAI收割
专利号: US6130147, 申请日期: 2000-10-10, 公开日期: 2000-10-10
作者:  MAJOR, JO S.;  WELCH, DAVID F.;  SCIFRES, DONALD R.
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III-V arsenide-nitride semiconductor 专利  OAI收割
专利号: US6100546, 申请日期: 2000-08-08, 公开日期: 2000-08-08
作者:  MAJOR, JO S.;  WELCH, DAVID F.;  SCIFRES, DONALD R.
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Diamond electronic packages featuring bonded metal 专利  OAI收割
专利号: WO1997005757A1, 申请日期: 1997-02-13, 公开日期: 1997-02-13
作者:  LEWIS, ELLIOTT;  KOBA, RICHARD;  WOODIN, RICHARD, L.
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Diamond electronic packages featuring bonded metal 专利  OAI收割
专利号: WO1997005757A1, 申请日期: 1997-02-13, 公开日期: 1997-02-13
作者:  LEWIS, ELLIOTT;  KOBA, RICHARD;  WOODIN, RICHARD, L.
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