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半导体研究所 [129]
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OAI收割 [129]
内容类型
期刊论文 [124]
会议论文 [5]
发表日期
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2011 [7]
2010 [5]
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学科主题
半导体物理 [129]
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共129条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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Chemical Reduction of Intrinsic Defects in Thicker Heterojunction Planar Perovskite Solar Cells
期刊论文
OAI收割
Adv. Mater., 2017, 卷号: 29, 期号: 23, 页码: 1606774 (1 of 8)
作者:
Zonghao Liu
;
Junnan Hu
;
Haoyang Jiao
;
Liang Li
;
Guanhaojie Zheng
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2018/07/02
Single photon emission from deep-level defects in monolayer WSe2
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW B, 2017, 卷号: 95, 期号: 24, 页码: 245313(5)
作者:
Yanxia Ye
;
Xiuming Dou
;
* Kun Ding
;
Yu Chen
;
Desheng Jiang
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2018/06/15
Role of defects in enhanced Fermi level pinning at interfaces between metals and transition metal dichalcogenides
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW B, 2017, 卷号: 95, 期号: 20, 页码: 205303
作者:
Le Huang
;
Lin Tao
;
Kai Gong
;
Yongtao Li
;
Huafeng Dong
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2018/06/15
Suppress carrier recombination by introducing defects: The case of Si solar cell
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2016, 卷号: 108, 期号: 2, 页码: 022101
Yuanyue Liu
;
Paul Stradins
;
Huixiong Deng
;
Junwei Luo
;
Su-Huai Wei
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提交时间:2017/03/16
Suppress carrier recombination by introducing defects: The case of Si solar cell
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2016, 卷号: 108, 期号: 2, 页码: 022101
Yuanyue Liu
;
Paul Stradins
;
Huixiong Deng
;
Junwei Luo
;
Su-Huai Wei
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2017/03/16
Intrinsic defects in gallium sulfide monolayer: a first-principles study
期刊论文
OAI收割
rsc advances, 2015, 卷号: 5, 期号: 63, 页码: 50883-50889
Hui Chen
;
Yan Li
;
Le Huang
;
Jingbo Li
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提交时间:2016/03/29
Enhancement of band-to-band tunneling in mono-layer transition metal dichalcogenides two-dimensional materials by vacancy defects
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 2014, 卷号: 104, 104, 期号: 2, 页码: 023512, 023512
作者:
Jiang, XW
;
Gong, J
;
Xu, N
;
Li, SS
;
Zhang, JF
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提交时间:2015/03/25
Formation and stability of point defects in monolayer rhenium disulfide
期刊论文
OAI收割
physical review b, PHYSICAL REVIEW B, 2014, 2014, 卷号: 89, 89, 期号: 15, 页码: 155433, 155433
作者:
Horzum, S
;
Cakir, D
;
Suh, J
;
Tongay, S
;
Huang, YS
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提交时间:2015/04/02
Raman spectra of monoand bi-layer graphenes with ion-induced defects-and its dispersive frequency on the excitation energy
期刊论文
OAI收割
acta physica sinica, Acta Physica Sinica, 2013, 2013, 卷号: 62, 62, 期号: 13, 页码: 137801, 137801
作者:
Li Qiao-Qiao, Han Wen-Peng, Zhao Wei-Jie, Lu Yan, Zhang Xin, Tan Ping-Heng, Feng Zhi-Hong, Li Jia
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提交时间:2014/03/26
GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
journal of physics d-applied physics, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 2011, 卷号: 44, 44, 期号: 33, 页码: 335102, 335102
作者:
He JF
;
Wang HL
;
Shang XJ
;
Li MF
;
Zhu Y
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提交时间:2012/01/06
1.3 MU-M
STRAIN RELIEF
LASERS
SUBSTRATE
PHOTOLUMINESCENCE
DISLOCATIONS
OPERATION
RANGE
1.3 Mu-m
Strain Relief
Lasers
Substrate
Photoluminescence
Dislocations
Operation
Range