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机构
半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [2]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2003 [1]
2000 [2]
学科主题
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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限定条件
专题:半导体研究所
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第一作者单位
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Electronic properties of sulfur passivated undoped-n(+) type GaAs surface studied by photoreflectance
期刊论文
OAI收割
applied surface science, 2003, 卷号: 218, 期号: 1-4, 页码: 210-214
作者:
Jin P
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浏览/下载:458/3
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提交时间:2010/08/12
sulfur passivation
Franz-Keldysh oscillations
undoped-n(+) type GaAs
complex Fourier transformation
FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS
GAAS(001) SURFACES
GAAS(100)
PHOTOEMISSION
SPECTROSCOPY
ENHANCEMENT
Pressure behaviour of self-assembled in0.55al0.45as/al0.5ga0.5as quantum dots with multi-modal distribution in size
期刊论文
iSwitch采集
Journal of physics-condensed matter, 2000, 卷号: 12, 期号: 13, 页码: 3173-3180
作者:
Chen, Y
;
Zhang, W
;
Li, GH
;
Zhu, ZM
;
Han, HX
收藏
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提交时间:2019/05/12
Pressure behaviour of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots with multi-modal distribution in size
期刊论文
OAI收割
journal of physics-condensed matter, 2000, 卷号: 12, 期号: 13, 页码: 3173-3180
Chen Y
;
Zhang W
;
Li GH
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Zhou W
;
Wang ZG
收藏
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  |  
提交时间:2010/08/12
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WELLS
LUMINESCENCE
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