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浏览/检索结果: 共149条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Tailoring in-plane crystallographic orientation of epitaxial YBa2Cu3O7-x thin films having perpendicular c-axis texture 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2012, 卷号: 520, 期号: 9, 页码: 3651-3656 Zheng, L; Su, XD; Fan, J; Chen, YJ; Yang, XL; You, LX; Harris, VG 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2013/04/17 YBCO film  In-plane orientation  Pulsed laser deposition  Pole figure  Epitaxial growth   Fabrication of high quality strained SiGe on Si substrate by RPCVD 期刊论文  OAI收割 CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2012, 卷号: 57, 期号: 15, 页码: 1862-1867 Xue, ZY; Chen, D; Liu, LJ; Jiang, HT; Bian, JT; Wei, X; Di, ZF; Zhang, M; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2013/04/17 SiGe  epitaxial growth  growth rate  Ge content   Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 25, 页码: 252101 Zhang,B; Yu,W; Zhao,QT; Mussler,G; Jin,L; Buca,D; Hollander,B; Hartmann,JM; Zhang,M; Wang,X; Mantl,S 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/04/10 AMER INST PHYSICS   Epitaxial growth of fully relaxed Si0.75Ge0.25 on SOI substrate 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 卷号: 257, 期号: 11, 页码: 5021-5024 Xue,ZY; Wei,X; Zhang,B; Wu,AM; Zhang,MA; Wang,X 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/04/10 ELSEVIER SCIENCE BV   Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 25, 页码: 252101 Zhang, B; Yu, W; Zhao, QT; Mussler, G; Jin, L; Buca, D; Hollander, B; Hartmann, JM; Zhang, M（重点实验室）; Wang, X（重点实验室）; Mantl, S 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Applied   Epitaxial growth of fully relaxed Si0.75Ge0.25 on SOI substrate 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 卷号: 257, 期号: 11, 页码: 5021-5024 Xue, ZY; Wei, X; Zhang, B; Wu, AM（重点实验室）; Zhang, MA; Wang, X（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/05/10 Chemistry  Materials Science  Physics  Physics  Physical  Coatings & Films  Applied  Condensed Matter   Temperature dependence of photoluminescence from as-grown and plasma-etched InAs0.45P0.55/In0.68Ga0.32As0.45P0.55 strained single quantum well 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2010, 卷号: 491, 期号: 1-2, 页码: 595-598 Cao, M; Wu, HZ; Lao, YF; Cao, CF; Liu, C; Hu, GJ 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 SUPERLATTICES  LUMINESCENCE  EXCITONS  HETEROSTRUCTURES  ENHANCEMENT  DEPOSITION  EPITAXY  GAN   GaInP-AlInP-GaAs Blue Photovoltaic Detectors With Narrow Response Wavelength Width 期刊论文  OAI收割 IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2010, 卷号: 22, 期号: 12, 页码: 944-946 Zhang, YG(张永刚）; Li, C; Gu, Y; Wang, K; Li, HSBY; Shao, XM; Fang, JX 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 GAS-SOURCE MBE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Horizontally aligned single-walled carbon nanotubes can bridge wide trenches and climb high steps 期刊论文  OAI收割 CHEMICAL ENGINEERING JOURNAL, 2010, 卷号: 157, 期号: 2-3, 页码: 590-597 Rao, FB; Zhou, YX; Li, TE; Wang, YL 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2011/12/17 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  R-PLANE SAPPHIRE  GROWTH-MECHANISM  LARGE-SCALE  LONG  TRANSISTORS  ARRAYS  CATALYSTS  SENSORS   InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 mu m 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2010, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 77304-77304 Gu, Y; Wang, K; Li, YY; Li, C; Zhang, YG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/11/03 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PERFORMANCE  GASB  MBE