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机构
半导体研究所 [6]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2011 [1]
2006 [1]
2002 [1]
1999 [1]
1998 [1]
1990 [1]
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学科主题
半导体材料 [6]
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共6条,第1-6条
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学科主题:半导体材料
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Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 2011, 卷号: 314, 314, 期号: 1, 页码: 141-145, 141-145
作者:
Wei TB
;
Yang JK
;
Hu Q
;
Duan RF
;
Huo ZQ
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收藏
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浏览/下载:74/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Cl
Pl
Stacking Fault
Hvpe
Gan
Nonpolar
Chemical-vapor-deposition
Acceptor Pair Emission
Phase Epitaxy
Grown Gan
Semiconductors
Sapphire
Films
Nitride
Enhanced photoresponse from the ordered microstructure of naphthalocyanine-carbon nanotube composite film
期刊论文
OAI收割
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 13, 页码: 3274-3279
Feng W
;
Li Y
;
Feng YY
;
Wu J
收藏
  |  
浏览/下载:79/0
  |  
提交时间:2010/04/11
NONCOVALENT SIDEWALL-FUNCTIONALIZATION
PHOTOVOLTAIC DEVICES
POLYMER COMPOSITES
THIN-FILMS
DYE
IMMOBILIZATION
PHTHALOCYANINE
POLYANILINE
CELLS
Structural characterization of epitaxial lateral overgrown GaN on patterned GaN/GaAs(001) substrates
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 246, 期号: 1-2, 页码: 69-72
Shen XM
;
Fu Y
;
Feng G
;
Zhang BS
;
Feng ZH
;
Wang YT
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2010/08/12
transmission electron microscopy
X-ray diffraction
epitaxial lateral overgrowth
metalorganic vapor phase epitaxy
cubic gallium nitride
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
CUBIC GAN
PHASE EPITAXY
REDUCTION
GROWTH
Effect of Si doping on cubic GaN films grown on GaAs(100)
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 1-2, 页码: 150-154
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
GaN
cubic
hexagonal
photoluminescence
XRD
DOPED GAN
SILICON
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
LIGHT-EMITTING DIODES
Microstructure evolution of GaN buffer layer on MgAl2O4 substrate
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 478-483
作者:
Han PD
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/08/12
GaN
MgAl2O4
buffer layer
threading dislocation
transmission electron microscopy
LASER-DIODES
GROWN GAN
FILMS
SAPPHIRE
NITRIDE
DEFECTS
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ELIMINATION OF STACKING-FAULTS IN A SILICON EPITAXIAL LAYER OF (100) ORIENTATION BY HEAT-TREATMENT
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 1990, 卷号: 67, 期号: 11, 页码: 7176-7178
CAI TH
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浏览/下载:211/63
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提交时间:2010/11/15