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  • 半导体材料 [6]
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Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文  OAI收割
journal of crystal growth, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 2011, 卷号: 314, 314, 期号: 1, 页码: 141-145, 141-145
作者:  
Wei TB;  Yang JK;  Hu Q;  Duan RF;  Huo ZQ
  |  收藏  |  浏览/下载:74/4  |  提交时间:2011/07/05
Enhanced photoresponse from the ordered microstructure of naphthalocyanine-carbon nanotube composite film 期刊论文  OAI收割
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 13, 页码: 3274-3279
Feng W; Li Y; Feng YY; Wu J
收藏  |  浏览/下载:79/0  |  提交时间:2010/04/11
Structural characterization of epitaxial lateral overgrown GaN on patterned GaN/GaAs(001) substrates 期刊论文  OAI收割
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 246, 期号: 1-2, 页码: 69-72
Shen XM; Fu Y; Feng G; Zhang BS; Feng ZH; Wang YT; Yang H
收藏  |  浏览/下载:46/0  |  提交时间:2010/08/12
Effect of Si doping on cubic GaN films grown on GaAs(100) 期刊论文  OAI收割
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 1-2, 页码: 150-154
作者:  
Zhao DG
收藏  |  浏览/下载:44/0  |  提交时间:2010/08/12
Microstructure evolution of GaN buffer layer on MgAl2O4 substrate 期刊论文  OAI收割
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 478-483
作者:  
Han PD
收藏  |  浏览/下载:37/0  |  提交时间:2010/08/12
ELIMINATION OF STACKING-FAULTS IN A SILICON EPITAXIAL LAYER OF (100) ORIENTATION BY HEAT-TREATMENT 期刊论文  OAI收割
journal of applied physics, 1990, 卷号: 67, 期号: 11, 页码: 7176-7178
CAI TH
收藏  |  浏览/下载:211/63  |  提交时间:2010/11/15