机构

• 西安光学精密机械研究... [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [6]

发表日期

• 2003 [1]
• 1999 [1]
• 1994 [1]
• 1988 [3]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：专利     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Process of producing semiconductor layer structure 专利  OAI收割 专利号: US6528337, 申请日期: 2003-03-04, 公开日期: 2003-03-04 作者:  ARAKAWA, SATOSHI;  MUKAIHARA, TOSHIKAZU;  YAMANAKA, NOBUMITSU;  KASUKAWA, AKIHIKO   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24 Method for producing II-VI compound semiconductor epitaxial layers having low defects 专利  OAI收割 专利号: US6001669, 申请日期: 1999-12-14, 公开日期: 1999-12-14 作者:  GAINES, JAMES MATTHEW;  PETRUZZELLO, JOHN   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 Vertical cavity laser diode 专利  OAI收割 专利号: EP0622876A1, 申请日期: 1994-11-02, 公开日期: 1994-11-02 作者:  OTSUBO, KOJI, C/O FUJITSU LIMITED;  SHOJI, HAJIME, C/O FUJITSU LIMITED   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laminated material 专利  OAI收割 专利号: JP1988289812A, 申请日期: 1988-11-28, 公开日期: 1988-11-28 作者:  SATO SHIRO;  IECHI HIROYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor light-emitting device 专利  OAI收割 专利号: JP1988261887A, 申请日期: 1988-10-28, 公开日期: 1988-10-28 作者:  TANAHASHI TOSHIYUKI   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/13 Manufacture of two-dimensional multiple quantum well structure 专利  OAI收割 专利号: JP1988029989A, 申请日期: 1988-02-08, 公开日期: 1988-02-08 作者:  EBE KOJI;  NISHIJIMA YOSHITO;  FUKUDA HIROKAZU;  SHINOHARA KOJI   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31