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机构
半导体研究所 [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
期刊论文 [8]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2006 [1]
2003 [3]
2002 [1]
2001 [1]
1998 [1]
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学科主题
半导体材料 [9]
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浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
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学科主题:半导体材料
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Nanostructural instability of single-walled carbon nanotubes during electron beam induced shrinkage
期刊论文
OAI收割
carbon, 2011, 卷号: 49, 期号: 9, 页码: 3120-3124
Zhu XF
;
Li LX
;
Huang SL
;
Wang ZG
;
Lu GQ
;
Sun CH
;
Wang LZ
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浏览/下载:25/3
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提交时间:2011/07/05
IRRADIATION
NANOCAVITY
Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature
期刊论文
OAI收割
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383
Zhao YW (Zhao Y. W.)
;
Dong ZY (Dong Z. Y.)
;
Deng AH (Deng A. H.)
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/04/11
indium phosphide
defect
irradiation
THERMALLY STIMULATED CURRENT
UNDOPED SEMIINSULATING INP
DEEP-LEVEL DEFECTS
FRENKEL PAIRS
FE
SPECTROSCOPY
PHOSPHIDE
AMBIENT
TRAPS
High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE
会议论文
OAI收割
symposium on gan and related alloys held at the 2002 mrs fall meeting, boston, ma, dec 02-06, 2002
Wang JX
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hu GX
;
Liu HX
;
Lin LY
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/10/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ION-SCATTERING SPECTROSCOPY
LATTICE POLARITY
SINGLE-CRYSTALS
FILMS
POLARIZATION
GAN(0001)
SURFACES
GROWTH
DIODES
Realization of quantum cascade laser operating at room temperature
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 285-289
作者:
Jin P
;
Li CM
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提交时间:2010/08/12
crystal structure
lattice-mismatch
microsctucture
radiation
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
infrared devices
quantum cascade laser
MU-M
Correlation of structural and optical investigation of InGaAs/InAlAs quantum cascade laser
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 198-202
作者:
Jin P
;
Li CM
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/08/12
lattice-mismatch
microstructure
radiation
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
infrared devices
quantum cascade laser
MU-M
Studies of 6H-SiC devices
期刊论文
OAI收割
current applied physics, 2002, 卷号: 2, 期号: 5, 页码: 393-399
Wang SR
;
Liu ZL
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
SiC
Schottky
pn junction diodes
MOS capacitor
JUNCTION DIODES
Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 516-520
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang W
;
Wang XU
;
Lin YW
;
Wu RH
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浏览/下载:82/10
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提交时间:2010/08/12
adsorption
characterization
radiation
molecular beam epitaxy
nitrides
SURFACE-EMITTING LASER
QUANTUM-WELLS
OPERATION
RANGE
Electron irradiation and thermal annealing effect on GaAs solar cells
期刊论文
OAI收割
solar energy materials and solar cells, 1998, 卷号: 55, 期号: 4, 页码: 313-322
Xiang XB
;
Du WH
;
Chang XL
;
Liao XB
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/08/12
GaAs
solar cells
irradiation
EXCIMER-LASER DOPING OF SPIN-ON DOPANT IN SILICON
期刊论文
OAI收割
applied surface science, 1993, 卷号: 64, 期号: 3, 页码: 259-263
WONG YW
;
YANG XQ
;
CHAN PW
;
TONG KY
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提交时间:2010/11/15
REACTIVE ATMOSPHERE
BORON
IRRADIATION
SEMICONDUCTORS
JUNCTIONS