机构

• 力学研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 会议论文 [3]
• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2006 [1]
• 2005 [1]
• 2004 [3]

学科主题

• 力学 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：力学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Growth of Silicon Carbide Bulk Crystals by Physical Vapor Transport Method and Modeling Efforts in the Process Optimization 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2006, 卷号: 292, 期号: 2, 页码: 197-200 作者:  Chen QS(陈启生);  Lu J;  Zhang ZB(张自兵);  Wei GD;  Prasad V 收藏  |  浏览/下载：1261/78  |  提交时间：2007/06/15 growth models  X-ray diffraction  growth from vapor  single crystal growth  silicon carbide   Growth of Silicon Carbide Bulk Crystals by Physical Vapor Transport Method and Modeling Efforts in the Process Optimization 会议论文  OAI收割 3rd Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-3), OCT 16-19, 2005, Beijing, PEOPLES R CHINA 作者:  Chen QS(陈启生);  Lu J;  Zhang ZB(张自兵);  Wei GD;  Prasad V 收藏  |  浏览/下载：956/23  |  提交时间：2007/12/18 Numerical Simulation of Heat Transfer and Kinetics in the Bulk Growth of Silicon Carbide 会议论文  OAI收割 Sixth World Congress on Computational Mechanics in Conjunction with the Second Asian-Pacific Congress on Computational Mechanics,Sept. 5-10, 2004, Beijing, China 作者:  Zhang ZB(张自兵);  Chen QS(陈启生) 收藏  |  浏览/下载：1430/121  |  提交时间：2007/12/18 Control of Large-size SiC Growth Process Using Modeling tool 会议论文  OAI收割 14th International Conference on Crystal Growth (ICCG-14, ICVGE-12),Aug. 9-13, 2004, Grenoble, France 作者:  Chen QS(陈启生) 收藏  |  浏览/下载：883/19  |  提交时间：2007/12/18 Effects of Induction Heating on Temperature Distribution and Growth Rate in Large-Size SiC Growth System 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 266, 期号: 1-3, 页码: 320-326 作者:  Chen QS(陈启生);  Gao P(高鹏);  Hu WR(胡文瑞) 收藏  |  浏览/下载：1150/66  |  提交时间：2007/06/15