机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2012 [1]
• 2011 [1]
• 2001 [1]

学科主题

• 半导体材料 [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Surface morphology and infrared absorption of silicon irradiated by picosecond laser pulses in SF6 期刊论文  OAI收割 advanced materials research, 2012, 卷号: 418-420, 页码: 77-81 Liu, Dewei; Huang, Yongguang; Zhu, Xiaoning; Wang, Xiyuan; Yu, Haijuan; Lin, Xuechun; Chen, Minghua; Zhu, Hongliang 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/05/22 Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016 Li H; Zhou K; Pang JB; Shao YD; Wang Z; Zhao YW 收藏  |  浏览/下载：52/10  |  提交时间：2011/07/05 UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE  SELF-DIFFUSION  NATIVE DEFECTS  N-TYPE  CRYSTALS  CATHODOLUMINESCENCE  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  SPECTROSCOPY  LUMINESCENCE   X-Ray diffraction determination of the fractions of hexagonal and twinned phases in cubic GaN layers grown on (001)GaAs substrate 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2001, 卷号: 392, 期号: 1, 页码: 29-33 Qu B; Zheng XH; Wang YT; Feng ZH; Liu SA; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：101/13  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  X-ray diffraction  EPITAXY  RATIO