机构

• 理论物理研究所 [3]
• 微电子研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 会议论文 [5]

发表日期

• 2013 [1]
• 2006 [1]
• 2004 [1]
• 1998 [1]
• 1997 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 High-quality HfSiON gate dielectric and its application in a gate-last NMOSFET fabrication 会议论文  OAI收割 作者:  Xu GB(许高博);  Xu QX(徐秋霞);  Yin HX(殷华湘)   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2014/10/30 Spin-charge gauge symmetry: A way to tackle HTS cuprates? 会议论文  OAI收割 Sitges, SPAIN, JUL 11-16, 2004 作者:  Marchetti, PA;  Su, ZB;  Yu, L   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/07/24 TEMPERATURE NORMAL-STATE  TRANSPORT-PROPERTIES  INSULATOR CROSSOVER  METAL CROSSOVER  SINGLE-CRYSTALS  LA2-XSRXCUO4  RESISTIVITY  SUPERCONDUCTORS  INPLANE  MAGNETORESISTANCE   Spin-charge gauge approach to "pseudogap": theory versus experiments 会议论文  OAI收割 Rio de Janeiro, BRAZIL, MAY 25-30, 2003 作者:  Marchetti, PA;  Orso, G;  Su, ZB;  Yu, L   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/07/24 C-AXIS RESISTIVITY  NORMAL-STATE  CUPRATE SUPERCONDUCTORS  INSULATOR CROSSOVER  SINGLE-CRYSTALS  LA2-XSRXCUO4  MAGNETORESISTANCE  FERMIONS  FIELDS  FILMS   The influence of thickness on properties of GaN buffer layer and heavily Si-doped GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy 会议论文  OAI收割 2nd international conference on nitride semiconductors (icns 97), tokushima city, japan, oct 27-31, 1997 Liu XL; Wang LS; Lu DC; Wang D; Wang XH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/15 MOVPE  GaN  GaN Buffer  heavy Si-doping   The Fermi surface of underdoped high-T-c superconducting cuprates 会议论文  OAI收割 BEIJING, PEOPLES R CHINA, FEB 28-MAR 04, 1997 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/07/24 NORMAL-STATE  BI2SR2CACU2O8+DELTA