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• 半导体研究所 [10]

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• OAI收割 [10]

内容类型

• 期刊论文 [10]

发表日期

• 2011 [2]
• 2009 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [10]

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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition 期刊论文  OAI收割 rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251 作者:  Li GK 收藏  |  浏览/下载：73/2  |  提交时间：2011/07/05 vanadium dioxide  infrared transition  diffraction effect  dual ion beam sputtering  annealing   Properties investigation of GaN films implanted by Sm ions under different implantation and annealing conditions 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: 429-432 作者:  Zhang ML 收藏  |  浏览/下载：65/4  |  提交时间：2011/07/07 GaN  Ferromagnetic  Implantation  Annealing   Narrowing of band gap and low-temperature spin glass behavior of FeNi co-doped ZnO nanowires 期刊论文  OAI收割 epl, 2009, 卷号: 87, 期号: 5, 页码: art. no. 57004 Iqbal J; Liu XF; Majid A; Yu DP; Yu RH 收藏  |  浏览/下载：92/34  |  提交时间：2010/03/08 ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  FERROMAGNETISM  FILMS  SPINTRONICS  PRINCIPLES   Influence of rapid thermal annealing on InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 284, 期号: 1-2, 页码: 20-27 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：67/18  |  提交时间：2010/03/17 annealing   Amorphous silicon carbide films prepared by H-2 diluted silane-methane plasma 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 7-12 Hu ZH; Liao XB; Diao HW; Kong GL; Zeng XB; Xu YY 收藏  |  浏览/下载：29/3  |  提交时间：2010/03/09 annealing   Effect of as interstitial diffusionon on the properties of undoped semi-insulating LECGaAs 期刊论文  OAI收割 rare metals, 2001, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 187-191 Yang RX; Zhang FQ; Chen NF 收藏  |  浏览/下载：89/3  |  提交时间：2010/08/12 semi-insulating GaAs  intrinsic acceptor defects  As interstitial indiffusion  As pressure  annealing  SEMIINSULATING GAAS   Effects of rapid thermal annealing on self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots superlattice 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 791-794 Zhuang QD; Li JM; Wang XX; Zeng YP; Wang YT; Wang BQ; Pan L; Wu J; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 InGaAs/GaAs  quantum dots  superlattice  annealing  X-ray  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INFRARED PHOTODETECTORS  STRAIN RELAXATION  LUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  DEPENDENCE  ABSORPTION  THRESHOLD  OPERATION  ISLANDS   Formation of InAs quantum dots on low-temperature GaAs epi-layer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 209-213 Wang XD; Niu ZC; Wang H; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot  low-temperature GaAs  As precipitates  annealing  TEM  PL  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ISLANDS  GROWTH  SURFACES   Pulsed excimer laser annealing of Mg-doped cubic GaN 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 203-207 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  cubic GaN  Mg doping  photoluminescence  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  III-V NITRIDE  P-TYPE GAN  OPTICAL-PROPERTIES  COMPENSATION  DIODES  FILMS   Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures 期刊论文  OAI收割 journal of electronic materials, 1998, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 59-61 Wang ZM; Feng SL; Lu ZD; Zhao Q; Yang XP; Chen ZG; Xu ZY; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  InAs/GaAs  quantum dots  BOX ISLANDS  GAAS  INTERDIFFUSION  GAAS(100)  GROWTH  THRESHOLD  INGAAS  STRAIN  SCALE  OPTICAL-PROPERTIES