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浏览/检索结果: 共48条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effect of InSb/In0.9Al0.1Sb superlattice buffer layer on the structural and electronic properties of InSb films 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2017, 卷号: 470, 页码: 1–7 作者:  Xiaomeng Zhao;  Yang Zhang;  Min Guan;  Lijie Cui;  Baoqiang Wang 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2018/06/15 Facile fabrication of core–shell ZnO/Bi 0.5 Sb 1.5 Te 3 nanorods: Enhanced photoluminescence through electron charge 期刊论文  OAI收割 Applied Surface Science, 2016, 卷号: 361, 页码: 95–101 Shengfei Shen; Hongli Gao; Yuan Deng; Yao Wang; Shengchun Qu 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/10 Selective-Area MOCVD Growth and Carrier-Transport-Type Control of InAs(Sb)/GaSb Core-Shell Nanowires 期刊论文  OAI收割 nano letters, 2016, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 7580-7587 Xianghai Ji; Xiaoguang Yang; Wenna Du; Huayong Pan; Tao Yang 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/03/10 Implantation induced defects and electrical properties of Sb-implanted ZnO 期刊论文  OAI收割 science china technological sciences, 2015, 卷号: 58, 期号: 8, 页码: 1333-1338 Hui Xie; Tong Liu; JingMing Liu; KeWei Cao; ZhiYuan Dong; Jun Yang; YouWen Zhao 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2016/03/29 First-principles study of structural, elastic and lattice dynamical properties of chalcopyrite BeSiV2 and MgSiV2 (V = P, As, Sb) 期刊论文  OAI收割 journal of alloys and compounds, 2014, 卷号: 611, 页码: 210-218 Shi, LW; Hu, J; Qin, Y; Duan, YF; Wu, L; Yang, XQ; Tang, G 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2015/03/25 Metalorganic chemical vapor deposition growth of InAs/GaSb type II superlattices with controllable As (x) Sb1-x interfaces 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7, 页码: 160 Li, LG; Liu, SM; Luo, S; Yang, T; Wang, LJ; Liu, FQ; Ye, XL; Xu, B; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/03/17 Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010 作者:  Yang T;  Yang XG;  Wang KF 收藏  |  浏览/下载：62/2  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-DENSITY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SELF-FORMATION  LAYERS  WELL  MBE   Optical properties of InAsSb nanostructures embedded in InGaAsSb strain reducing layer 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 869-873 作者:  Zhou XL;  Li TF 收藏  |  浏览/下载：30/1  |  提交时间：2011/07/05 QUANTUM DOTS  LIGHT-EMISSION  WELLS  PHOTOLUMINESCENCE   Determination of InN/Diamond Heterojunction Band Offset by X-ray Photoelectron Spectroscopy 期刊论文  OAI收割 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.50 作者:  Wei HY;  Song HP;  Zhang B 收藏  |  浏览/下载：63/2  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CORE-LEVEL PHOTOEMISSION  SB-DOPED SNO2  INN  GROWTH  GAN  NAXWO3  ALLOYS  GREEN  STATE   Evaluating 0.53 eVGaInAsSbthermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: art. no. 095002 Wang Y (Wang Y.); Chen NF (Chen N. F.); Zhang XW (Zhang X. W.); Huang TM (Huang T. M.); Yin ZG (Yin Z. G.); Bai YM (Bai Y. M.) 收藏  |  浏览/下载：170/19  |  提交时间：2010/09/20 OPTICAL DIELECTRIC FUNCTION  DISPERSION-RELATIONS  CARRIER MOBILITIES  PHASE EPITAXY  DOPED GAAS  DEVICES  GASB  INP  ALXGA1-XAS  INGAASSB