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机构
半导体研究所 [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2008 [1]
2007 [1]
2005 [1]
1999 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体物理 [5]
筛选
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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限定条件
学科主题:半导体物理
条数/页:
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Low threshold lasing of GaN-based vertical cavity surface emitting lasers with an asymmetric coupled quantum well active region
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 19, 页码: art. no. 191118
Zhang JY
;
Cai LE
;
Zhang BP
;
Li SQ
;
Lin F
;
Shang JZ
;
Wang DX
;
Lin KC
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:25/1
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提交时间:2010/03/08
gallium compounds
Modulation response analysis of 1.3 mu m quantum dot vertical-cavity surface-emitting lasers
期刊论文
OAI收割
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 863-870
Peng, HL (Peng Hong-Ling)
;
Han, Q (Han Qin)
;
Yang, XH (Yang Xiao-Hong)
;
Niu, ZC (Niu Zhi-Chuan)
收藏
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浏览/下载:68/0
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提交时间:2010/03/29
quantum dots
Design and analysis of 1.3 mu m GaAs-based quantum dot vertical-cavity surface-emitting lasers
期刊论文
OAI收割
acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 8, 页码: 3651-3656
Tong, CZ
;
Niu, ZC
;
Han, Q
;
Wu, RH
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浏览/下载:74/26
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提交时间:2010/03/17
quantum dots
Influence of lateral propagating modes on laser output characteristics in selectively oxidized vertical cavity surface-emitting lasers with double oxide layers
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 1999, 卷号: 86, 期号: 7, 页码: 3519-3524
Huang YZ
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/08/12
SPONTANEOUS-EMISSION FACTOR
FABRY-PEROT MICROCAVITY
SEMICONDUCTOR-LASERS
CONFINEMENT
APERTURES
BEHAVIOR
The enhancement of spontaneous emission factor in selectively oxidized vertical cavity lasers with double oxide layers
会议论文
OAI收割
semiconductor lasers iii, beijing, peoples r china, sep 16-18, 1998
Huang YZ
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/10/29
vertical-cavity lasers
spontaneous emission factor
laser modes
AlAs oxidation