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机构
微电子研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
外文期刊 [3]
发表日期
2010 [1]
2009 [2]
学科主题
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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内容类型:外文期刊
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Comprehensive understanding of the effect of electric dipole at high-k/SiO2 interface on the flatband voltage shift in metal-oxide-semiconductor device
外文期刊
OAI收割
2010
作者:
Han, K
;
Wang, WW
;
Ma, XL
;
Chen, DP
;
Zhang, J
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提交时间:2010/11/26
Work Function
Gate
Effect of Al-diffusion-induced positive flatband voltage shift on the electrical characteristics of Al-incorporated high-k metal-oxide-semiconductor field-effective transistor
外文期刊
OAI收割
2009
作者:
Toriumi, A
;
Ota, H
;
Nabatame, T
;
Mizubayashi, W
;
Akiyama, K
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/26
Technology
Role of interface dipole in metal gate/high-k effective work function modulation by aluminum incorporation
外文期刊
OAI收割
2009
作者:
Yan, L
;
Zhang, XW
;
Xiao, ZS
;
Chu, PK
;
Wang, WW
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提交时间:2010/11/26