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Comprehensive understanding of the effect of electric dipole at high-k/SiO2 interface on the flatband voltage shift in metal-oxide-semiconductor device 外文期刊  OAI收割
2010
作者:  
Han, K;  Wang, WW;  Ma, XL;  Chen, DP;  Zhang, J
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Effect of Al-diffusion-induced positive flatband voltage shift on the electrical characteristics of Al-incorporated high-k metal-oxide-semiconductor field-effective transistor 外文期刊  OAI收割
2009
作者:  
Toriumi, A;  Ota, H;  Nabatame, T;  Mizubayashi, W;  Akiyama, K
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2010/11/26
Role of interface dipole in metal gate/high-k effective work function modulation by aluminum incorporation 外文期刊  OAI收割
2009
作者:  
Yan, L;  Zhang, XW;  Xiao, ZS;  Chu, PK;  Wang, WW
  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2010/11/26